Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.4

_{514 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRF610PBF, Транзистор, N-канал 200В 3.3А [TO-220AB] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36 Крутизна характеристики, S: 0.8 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 77 руб.
IRF630PBF, Транзистор, N-канал 200В 9.0А [TO-220AB] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/5.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100 Крутизна характеристики, S: 3 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 77 руб.
IRF710PBF, Транзистор, N-канал 400В 2А [TO-220AB] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.6 Ом/1.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36 Крутизна характеристики, S: 1 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 90 руб.
IRFR210TRPBF, Транзистор MOSFET N-канал 200В 2.6А [D-PAK] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/1.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 73 руб.
IRFR320TRPBF, Транзистор, N-канал 400В 3.1А [D-PAK] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.8 Ом/1.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50 Крутизна характеристики, S: 2.6 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 79 руб.
SPP03N60S5XKSA1, Транзистор, N-канал 600В 3.2А 1.4Ом [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38 Крутизна характеристики, S: 1.8 Корпус: PG-TO220	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 86 руб.
STF14NM50N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.28 Ом, 12А [TO-220FP] По запросу Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.32 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	По запросу	99 руб. ×	от 3 шт. — 90 руб.
IRFR420ATRPBF, Транзистор N-канал 500В 3.3А [D-PAK] (=IRFR420APBF) Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 83 Крутизна характеристики, S: 1.4 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		110 руб. ×
STN4NF20L, Транзистор, MOSFET N-CH 200В 1А [SOT-223] 974 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.3 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	974 шт.	110 руб. ×	от 50 шт. — 89 руб.
STP11NK50ZFP, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 10А, 500В, 0.48Ом [TO-220FP] 177 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30 Крутизна характеристики, S: 7.7 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	177 шт.	110 руб. ×	от 15 шт. — 96 руб.
IRFB812PBF, Транзистор, N-канал 500В 3.6А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/2.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 78 Крутизна характеристики, S: 7.6 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		110 руб. ×	от 15 шт. — 105 руб.
IRFR825PBF, Транзистор, N-канал 500В 6А [D-PAK] Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/3.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 119 Крутизна характеристики, S: 7.5 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		110 руб. ×	от 15 шт. — 95 руб.
IRFR9N20DPBF, транзистор N канал 200В 9.4А DPak Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.4 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 86 Корпус: DPAK(TO-252AA)	быстрый просмотр		110 руб. ×	от 32 шт. — 58 руб.
STB6NK60ZT4, Транзистор MOSFET N-канал 600В 6А [D2-PAK] По запросу Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	По запросу	110 руб. ×	от 15 шт. — 98 руб.
STD3NK60ZT4, Транзистор N-MOSFET 600В 2.4А 45Вт [D-PAK] 100 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.6 Ом/1.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	100 шт.	120 руб. ×	от 15 шт. — 108 руб.
STU6N62K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 620 В, 0.95 Ом, 5.5 А, [I-PAK] 743 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 620 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/2.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90 Корпус: IPAK	быстрый просмотр	743 шт.	120 руб. ×	от 15 шт. — 119 руб.
SVF7N80F, Транзистор N-MOSFET 800В 7А 50Вт [TO-220F] 204 шт. Бренд: Silan Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.39 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	204 шт.	120 руб. ×	от 15 шт. — 107 руб.
WMO18N50C4, Транзистор N-MOSFET 500В 18 А [D-PAK] 1310 шт. Бренд: Wayon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.025 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75 Корпус: dpak	быстрый просмотр	1310 шт.	120 руб. ×	от 15 шт. — 107 руб.
IRF820APBF Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3 ом при 1.5a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80 Крутизна характеристики, S: 3 Корпус: to220ab	быстрый просмотр		120 руб. ×
STP5N52K3, Транзистор, SuperMESH 3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4А [TO-220AB] 9 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 525 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Корпус: to-220	быстрый просмотр	9 шт.	120 руб. ×	от 15 шт. — 114 руб.