Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

8 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
IRF7351TR, Транзистор 2N-MOSFET 60В 8А 2Вт [SOP-8]
2386 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2386 шт.
45 руб. ×
от 50 шт. — 41 руб.
SSM3J332R, Транзистор P-MOSFET 30В 5.4А 1.25Вт [SOT-23-3]
2864 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/4.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.25
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
2864 шт.
5 руб. ×
от 100 шт. — 4 руб.
IRF2907ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 75В 75А [D2PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 170
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0045 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
390 руб. ×
от 15 шт. — 384 руб.
IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0178 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
320 руб. ×
от 25 шт. — 296 руб.
IRFHS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.5А [PQFN-2x2]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: PQFN-6(2X2)
быстрый просмотр
48 руб. ×
от 15 шт. — 41 руб.
IRLML9301TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3]
1043 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/4.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: Micro-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
1043 шт.
18 руб. ×
SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236]
5406 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.054 Ом/3.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
5406 шт.
40 руб. ×
от 100 шт. — 30 руб.
STB55NF06T4, Транзистор N-канал 60В 50А [D2-PAK]
725 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
725 шт.
130 руб. ×
от 15 шт. — 115 руб.