Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.31

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

GD450HFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 706 А, 1.85 В, 2.542 кВт, 150 °C, Module 7-9 недель, 10 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	7-9 недель, 10 шт.	49 080 руб. ×	от 5 шт. — 37 920 руб. от 10 шт. — 33 180 руб.
GD600HFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1.069 кА, 1.85 В, 4.166 кВт, 150 °C, Module 7-9 недель, 10 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	7-9 недель, 10 шт.	52 770 руб. ×	от 5 шт. — 46 620 руб.
GD600HFX65C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 768 А, 1.45 В, 1.875 кВт, 150 °C, Module 7-9 недель, 4 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	7-9 недель, 4 шт.	26 950 руб. ×
GD600HFY120P1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 951 А, 1.7 В, 3.1 кВт, 150 °C, Module 7-9 недель, 9 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	7-9 недель, 9 шт.	62 990 руб. ×	от 5 шт. — 58 530 руб.
GT15J341, Транзистор IGBT, 600В, 15А, 30Вт, TO220FP 6 недель, 278 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	6 недель, 278 шт.	570 руб. ×
GT30J121Q, Транзистор IGBT, 600В, 30А, 170Вт, TO3PN 6 недель, 68 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	6 недель, 68 шт.	1 000 руб. ×
GT50JR21(STA1,E,S), IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ 6-8 недель, 50 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	6-8 недель, 50 шт.	1 390 руб. ×
HGTG12N60C3D, Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		1 040 руб. ×
HGTG30N60C3D, Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		1 380 руб. ×
HYG15P120A1K1 3 Phase Bridge IGBT Module, 20 A 1200 V, 22-Pin, Through Hole 6 недель, 2 шт. Бренд: HY Electronic	быстрый просмотр	6 недель, 2 шт.	9 820 руб. ×
IFF300B17N2E4PB11BPSA1, IGBT Transistors LOW POWER ECONO Бренд: Infineon	быстрый просмотр		68 840 руб. ×
IFF450B12ME4PB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 450 А, 1.75 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр		38 870 руб. ×	от 5 шт. — 36 220 руб.
IGB10N60T, IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech Бренд: Infineon	быстрый просмотр		450 руб. ×	от 10 шт. — 350 руб. от 100 шт. — 256 руб. от 500 шт. — 202.30 руб.
IGB10N60TATMA1, Транзистор БТИЗ, 600В, 10А, 110Вт, PG-TO263-3 Бренд: Infineon	быстрый просмотр		420 руб. ×	от 5 шт. — 330 руб. от 25 шт. — 254 руб. от 100 шт. — 211.87 руб.
IGB20N60H3, IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT Бренд: Infineon	быстрый просмотр		530 руб. ×	от 10 шт. — 420 руб. от 100 шт. — 315 руб. от 250 шт. — 272.04 руб.
IGB20N60H3ATMA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.95 В, 170 Вт, 600 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов) Бренд: Infineon	быстрый просмотр		560 руб. ×	от 10 шт. — 490 руб.
IGB20N65S5ATMA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.35 В, 125 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов) Бренд: Infineon	быстрый просмотр		600 руб. ×	от 10 шт. — 510 руб. от 100 шт. — 399 руб.
IGB30N60H3, IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT Бренд: Infineon	быстрый просмотр		870 руб. ×	от 10 шт. — 690 руб. от 100 шт. — 485 руб. от 250 шт. — 462.46 руб.
IGB50N60TATMA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Бренд: Infineon	быстрый просмотр		1 520 руб. ×	от 50 шт. — 1 060 руб.
IGP06N60TXKSA1, Транзистор: IGBT, 600В, 6А, 88Вт, TO220-3 Бренд: Infineon	быстрый просмотр		400 руб. ×	от 3 шт. — 310 руб. от 10 шт. — 269 руб. от 50 шт. — 209.03 руб.