Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Toshiba

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) Toshiba, (картинки)

_{27 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]

быстрый просмотр

Toshiba

GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]

69 шт.

1 900 руб.

GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]

быстрый просмотр

Toshiba

GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]

31 шт.

1 320 руб.

GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]

быстрый просмотр

Toshiba

GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]

4253 шт.

240 руб.

GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]

быстрый просмотр

Toshiba

GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]

95 шт.

890 руб.

GT15J341 транзистор, IGBT N-Ch 600V 15A 1.5Vce

быстрый просмотр

Toshiba

GT15J341 транзистор, IGBT N-Ch 600V 15A 1.5Vce

1 шт.

410 руб.

GT15J341, Транзистор IGBT, 600В, 15А, 30Вт, TO220FP

быстрый просмотр

Toshiba

GT15J341, Транзистор IGBT, 600В, 15А, 30Вт, TO220FP

7 недель, 340 шт.

580 руб.

GT20J341, GT20J341 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220SIS, Through Hole

быстрый просмотр

Toshiba

GT20J341, GT20J341 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220SIS, Through Hole

7 недель, 166 шт.

970 руб.

GT30J121(Q), IGBT Transistors 600V/30A DIS

быстрый просмотр

Toshiba

GT30J121(Q), IGBT Transistors 600V/30A DIS

7-9 недель, 45 шт.

990 руб.

GT30J121, GT30J121 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

быстрый просмотр

Toshiba

GT30J121, GT30J121 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

7 недель, 70 шт.

1 510 руб.

GT30J121Q, Транзистор IGBT, 600В, 30А, 170Вт, TO3PN

быстрый просмотр

Toshiba

GT30J121Q, Транзистор IGBT, 600В, 30А, 170Вт, TO3PN

7 недель, 68 шт.

1 010 руб.

быстрый просмотр

Toshiba

GT30J122A(STA1,E,D

7-9 недель, 27 шт.

230 руб.

быстрый просмотр

Toshiba

GT30J122A(STA1,E,D, TO-3PN IGBTs

7 недель, 299 шт.

540 руб.

быстрый просмотр

Toshiba

GT40QR21(STA1,E,D

7-9 недель, 5 шт.

910 руб.

GT40QR21(STA1,E,D, IGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 ...

быстрый просмотр

Toshiba

GT40QR21(STA1,E,D, IGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 ...

7-9 недель, 120 шт.

1 080 руб.

GT40QR21, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN

быстрый просмотр

Toshiba

GT40QR21, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN

7 недель, 40 шт.

1 080 руб.

GT40WR21, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN

быстрый просмотр

Toshiba

GT40WR21, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN

7 недель, 91 шт.

3 650 руб.

GT50JR21(STA1,E,S), IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A ...

быстрый просмотр

Toshiba

GT50JR21(STA1,E,S), IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A ...

7-9 недель, 50 шт.

1 420 руб.

быстрый просмотр

Toshiba

GT50JR22

7-9 недель, 4977 шт.

290 руб.

GT50N322A, IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V

быстрый просмотр

Toshiba

GT50N322A, IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V

7-9 недель, 179 шт.

1 420 руб.

GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]

быстрый просмотр

Toshiba

GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]

По запросу

600 руб.