+7 495 544-00-08 CHIPDIP организациям
Способы доставки
Способы оплаты
Калькуляторы
Россия
Магазины и оптовые отделы
Вход Статус заказа BOM
Сравнить
Корзина руб.
Популярное

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.31, (картинки)

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Технология/семейство
сбросить
Наличие встроенного диода
сбросить
Максимальное напряжение КЭ ,В
сбросить
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
сбросить
Импульсный ток коллектора (Icm), А
сбросить
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
сбросить
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
сбросить
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
сбросить
Рабочая температура (Tj), °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
​
GD450HFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 706 А, 1.85 В ...быстрый просмотр
STARPOWER
GD450HFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 706 А, 1.85 В ...
8-10 недель, 10 шт.
48 270 руб.
от 5 шт. — 37 300 руб.
от 10 шт. — 32 640 руб.
GD600HFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1.069 кА ...быстрый просмотр
STARPOWER
GD600HFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1.069 кА ...
8-10 недель, 10 шт.
51 910 руб.
от 5 шт. — 45 860 руб.
GD600HFX65C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 768 А, 1.45 В ...быстрый просмотр
STARPOWER
GD600HFX65C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 768 А, 1.45 В ...
8-10 недель, 4 шт.
26 510 руб.
GD600HFY120P1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 951 А, 1.7 В ...быстрый просмотр
STARPOWER
GD600HFY120P1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 951 А, 1.7 В ...
8-10 недель, 9 шт.
61 960 руб.
от 5 шт. — 57 580 руб.
GT15J341, Транзистор IGBT, 600В, 15А, 30Вт, TO220FPбыстрый просмотр
Toshiba
GT15J341, Транзистор IGBT, 600В, 15А, 30Вт, TO220FP
7 недель, 278 шт.
570 руб.
GT30J121Q, Транзистор IGBT, 600В, 30А, 170Вт, TO3PNбыстрый просмотр
Toshiba
GT30J121Q, Транзистор IGBT, 600В, 30А, 170Вт, TO3PN
7 недель, 68 шт.
1 000 руб.
GT50JR21(STA1,E,S), IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A ...быстрый просмотр
Toshiba
GT50JR21(STA1,E,S), IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A ...
7-9 недель, 50 шт.
1 390 руб.
HGTG12N60C3D, Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tubeбыстрый просмотр
ON Semiconductor
HGTG12N60C3D, Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
1 040 руб.
HGTG30N60C3D, Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tubeбыстрый просмотр
ON Semiconductor
HGTG30N60C3D, Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
1 370 руб.
HYG15P120A1K1 3 Phase Bridge IGBT Module, 20 A 1200 V, 22-Pin, Through Holeбыстрый просмотр
HY Electronic
HYG15P120A1K1 3 Phase Bridge IGBT Module, 20 A 1200 V, 22-Pin, Through Hole
7 недель, 2 шт.
9 730 руб.
IFF300B17N2E4PB11BPSA1, IGBT Transistors LOW POWER ECONOбыстрый просмотр
Infineon
IFF300B17N2E4PB11BPSA1, IGBT Transistors LOW POWER ECONO
68 540 руб.
IFF450B12ME4PB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge] ...быстрый просмотр
Infineon
IFF450B12ME4PB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge] ...
38 240 руб.
от 5 шт. — 35 630 руб.
IGB10N60T, IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Techбыстрый просмотр
Infineon
IGB10N60T, IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
450 руб.
от 10 шт. — 350 руб.
от 100 шт. — 254 руб.
от 500 шт. — 201.40 руб.
IGB10N60TATMA1, Транзистор БТИЗ, 600В, 10А, 110Вт, PG-TO263-3быстрый просмотр
Infineon
IGB10N60TATMA1, Транзистор БТИЗ, 600В, 10А, 110Вт, PG-TO263-3
420 руб.
от 5 шт. — 330 руб.
от 25 шт. — 252 руб.
от 100 шт. — 210.29 руб.
IGB20N60H3, IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBTбыстрый просмотр
Infineon
IGB20N60H3, IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
530 руб.
от 10 шт. — 400 руб.
от 100 шт. — 314 руб.
от 250 шт. — 270.83 руб.
IGB20N60H3ATMA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.95 В, 170 Вт, 600 В, TO-263 (D2PAK) ...быстрый просмотр
Infineon
IGB20N60H3ATMA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.95 В, 170 Вт, 600 В, TO-263 (D2PAK) ...
550 руб.
от 10 шт. — 480 руб.
IGB20N65S5ATMA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.35 В, 125 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK) ...быстрый просмотр
Infineon
IGB20N65S5ATMA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.35 В, 125 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK) ...
590 руб.
от 10 шт. — 510 руб.
от 100 шт. — 393 руб.
IGB30N60H3, IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBTбыстрый просмотр
Infineon
IGB30N60H3, IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
870 руб.
от 10 шт. — 670 руб.
от 100 шт. — 483 руб.
от 250 шт. — 470.25 руб.
IGB50N60TATMA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/Rбыстрый просмотр
Infineon
IGB50N60TATMA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
1 510 руб.
от 50 шт. — 1 060 руб.
IGP06N60TXKSA1, Транзистор: IGBT, 600В, 6А, 88Вт, TO220-3быстрый просмотр
Infineon
IGP06N60TXKSA1, Транзистор: IGBT, 600В, 6А, 88Вт, TO220-3
400 руб.
от 3 шт. — 310 руб.
от 10 шт. — 267 руб.
от 50 шт. — 207.49 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60
+7 495 544-00-08
e-mail: sales@chipdip.ru
Скачайте мобильное приложение
Принимаем к оплате
CHIPDIP в соцсетях
© 2006—2024, АО «ЧИП и ДИП» —
приборы, радиодетали и электронные компоненты
chipdip.by chipdip.kz chipdip.am
Top.Mail.Ru