Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.35

1335 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
IRLZ34NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 30А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 27
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 56
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
98 руб. ×
от 15 шт. — 89 руб.
IRLZ44NPBF, Транзистор, N-канал 55В 47А logic [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
160 руб. ×
от 15 шт. — 127 руб.
IRLZ44NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 55В 47А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
230 руб. ×
от 15 шт. — 189 руб.
IRLZ44PBF, Транзистор, N-канал 60В 50А logic [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/31А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
200 руб. ×
от 15 шт. — 159 руб.
IRLZ44ZPBF, Транзистор, N-канал 55В 51А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0135 Ом/31А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
140 руб. ×
от 15 шт. — 106 руб.
IXFN56N90P, Транзистор, Polar HiPerFET, N-канал, 56А, 900В, 0.145Ом, [SOT-227]
Бренд: Ixys
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 56
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.135 Ом/28А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1000
Крутизна характеристики, S: 44
Корпус: SOT-227
быстрый просмотр
7 980 руб. ×
от 2 шт. — 7 350 руб.
IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P]
Бренд: Ixys
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 400
Крутизна характеристики, S: 58
Корпус: TO-3P
быстрый просмотр
950 руб. ×
от 15 шт. — 862 руб.
LND150N3-G, Транзистор Depletion-Mode DMOS FET N-CH 500В 30мА [TO-92]
Бренд: Microchip
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.03
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1000 Ом/0.05А, 0В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.74
Корпус: TO-92
быстрый просмотр
650 руб. ×
от 15 шт. — 569 руб.
MMBF170LT1G, Транзистор MOSFET N-канал 60В 500vА [SOT-23-3]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
17 руб. ×
MMBF170LT1G-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3]
4556 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.3 Ом/0.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.3
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
4556 шт.
12 руб. ×
от 100 шт. — 11 руб.
MMF60R580P, Транзистор полевой, N-канал, Id=8А, Vdss=600В, Vgs(th)=2…4В, Rds(on)=580 мОм [TO-220F]
201 шт.
Бренд: Inchange
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.58 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 26
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
201 шт.
470 руб. ×
от 15 шт. — 432 руб.
MS12N100FC, Транзистор N-MOSFET 1000В 12А 160Вт [TO-247]
290 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.35 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 272
Крутизна характеристики, S: 9.5
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
290 шт.
200 руб. ×
от 10 шт. — 190 руб.
MS12N120HGC0, Транзистор N-MOSFET 1200В 12А 290Вт [TO-247]
174 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 290
Крутизна характеристики, S: 9
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
174 шт.
540 руб. ×
от 10 шт. — 486 руб.
MS30N100HGC0, Транзистор N-MOSFET 1000В 30А 290Вт [TO-247]
287 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 290
Крутизна характеристики, S: 30
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
287 шт.
680 руб. ×
от 10 шт. — 612 руб.
MS4N1350E, Транзистор N-MOSFET 1350В 4А 80Вт [TO-263]
244 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9 Ом/1.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80
Крутизна характеристики, S: 2.6
Корпус: TO-263
быстрый просмотр
244 шт.
170 руб. ×
от 10 шт. — 153 руб.
MS4N1350W, Транзистор N-MOSFET 1350В 4А 140Вт [TO-247]
198 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9 Ом/1.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Крутизна характеристики, S: 2.6
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
198 шт.
190 руб. ×
от 10 шт. — 171 руб.
MS5N100FD, Транзистор N-MOSFET 1000В 5А 68Вт [TO-252]
202 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
202 шт.
70 руб. ×
от 10 шт. — 63 руб.
MS5N100FT, Транзистор N-MOSFET 1000В 5А 68Вт [TO-220]
99 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: to-220
быстрый просмотр
99 шт.
70 руб. ×
от 10 шт. — 63 руб.
MS6N120FT, Транзистор N-MOSFET 1200В 6А 160Вт [TO-220]
273 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Крутизна характеристики, S: 5.7
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
273 шт.
140 руб. ×
от 10 шт. — 126 руб.
MS8N100FE, Транзистор N-MOSFET 1000В 8А 31.7Вт [TO-263]
167 шт.
Бренд: MASPOWER
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 167
Крутизна характеристики, S: 5.6
Корпус: TO-263
быстрый просмотр
167 шт.
140 руб. ×
от 10 шт. — 126 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60