Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.10

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
FDN352AP, Транзистор P-MOSFET 30В 1.3А 0.5Вт [SOT-23-3]
1889 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 15 мОм/1.3A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5
Крутизна характеристики, S: 2
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
1889 шт.
9 руб. ×
от 100 шт. — 8 руб.
FDN5630, Транзистор N-MOSFET 60В 4А 1.66Вт [SOT-23-3]
3842 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 47 мОм/35А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.66
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
3842 шт.
11 руб. ×
от 100 шт. — 10 руб.
FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]
2617 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8 мОм/10А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Крутизна характеристики, S: 81
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2617 шт.
62 руб. ×
от 100 шт. — 56 руб.
FDV301N, Транзистор N-MOSFET 25В 0.75А 0.35Вт [SOT-23-3]
4036 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.75
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 250 мОм/0.65А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 1.6
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
4036 шт.
7 руб. ×
от 100 шт. — 6 руб.
FDV303N, Транзистор N-MOSFET 20В 0.68А 0.35Вт [SOT-23-3]
9658 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.68
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 28 мОм/0.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 1.45
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
9658 шт.
6 руб. ×
от 100 шт. — 5 руб.
FQD13N10LTM, Транзистор N-MOSFET 100В 10А 2.5Вт [DPAK]
2003 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 142 мОм/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 8.7
Корпус: dpak
быстрый просмотр
2003 шт.
28 руб. ×
от 15 шт. — 26 руб.
IRF7105TR, Транзистор N/P-MOSFET 25В 3.5А/2.3А 2Вт [SOP-8]
1921 шт.
Бренд: UMW
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5/2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 83/160 мОм/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 4.3/3.1
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1921 шт.
25 руб. ×
от 50 шт. — 22 руб.
IRF7240TR, Транзистор P-MOSFET 40В 10.5А 2.5Вт [SOIC-8]
2224 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 16 мОм/10.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2224 шт.
42 руб. ×
от 100 шт. — 38 руб.
IRF7301TR, Транзистор 2N-MOSFET 20В 5.2А 2Вт [SOP-8]
8373 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 40 мОм/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
8373 шт.
25 руб. ×
от 50 шт. — 22 руб.
IRF7303TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 4.9А 2Вт [SOP-8]
5135 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 50 мОм/2.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5135 шт.
25 руб. ×
от 50 шт. — 22 руб.
IRF7307TR, Транзистор N/P-MOSFET 20В 5.2А/4.3А 2Вт [SOP-8]
5853 шт.
Бренд: UMW
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.7/4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 53/100 мОм/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.3/4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5853 шт.
18 руб. ×
от 50 шт. — 17 руб.
IRF7309TR, Транзистор N/P-MOSFET 30В 4А/3А 1.4Вт [SOP-8]
4271 шт.
Бренд: UMW
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 50/100 мОм/2.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 5.2/2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4271 шт.
33 руб. ×
от 50 шт. — 30 руб.
IRF7313TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 6.5А 2Вт [SOP-8]
5270 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 29 мОм/5.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5270 шт.
27 руб. ×
от 50 шт. — 24 руб.
IRF7316TR, Транзистор 2P-MOSFET 30В 4.9А 2Вт [SOP-8]
2187 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 60 мОм/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2187 шт.
33 руб. ×
от 50 шт. — 30 руб.
IRF7319TR, Транзистор N/P-MOSFET 30В 6.5А/4.9А 2Вт [SOP-8]
4395 шт.
Бренд: UMW
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5/4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 31/60 мОм/5.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 14/7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4395 шт.
33 руб. ×
от 50 шт. — 30 руб.
IRF7328TR, Транзистор 2P-MOSFET 30В 8А 2Вт [SOP-8]
2101 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 21 мОм/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2101 шт.
27 руб. ×
от 50 шт. — 24 руб.
IRF7341TR, Транзистор 2N-MOSFET 55В 4.7А 2Вт [SOP-8]
3319 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 30 мОм/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3319 шт.
25 руб. ×
от 50 шт. — 22 руб.
IRF7342TR, Транзистор 2P-MOSFET 55В 3.4А 2Вт [SOP-8]
3710 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 105 мОм/3.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 3.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3710 шт.
39 руб. ×
от 50 шт. — 36 руб.
IRF7343TR, Транзистор N/P-MOSFET 55В 3.7А/4.3А 2Вт [SOP-8]
4125 шт.
Бренд: UMW
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 65/90 мОм/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.9/3.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4125 шт.
28 руб. ×
от 50 шт. — 26 руб.
IRF7351TR, Транзистор 2N-MOSFET 60В 8А 2Вт [SOP-8]
2388 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2388 шт.
45 руб. ×
от 50 шт. — 41 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60