Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.7

205 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
NDS9948, Транзистор 2P-канала 60В 2.3А 0.25Ом [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/2.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
110 руб. ×
от 10 шт. — 94 руб.
PSMN017-60YS,115, Транзистор MOSFET N-канал 60В 44А [LFPAK]
171 шт.
Бренд: Nexperia
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 44
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0157 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Корпус: LFPAK/SOT-669
быстрый просмотр
171 шт.
260 руб. ×
от 15 шт. — 235 руб.
RFP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220AB]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 131
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
220 руб. ×
от 15 шт. — 180 руб.
RFP70N06, Транзистор, N-канал 60В 70А [TO-220AB]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 70
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/70А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
240 руб. ×
от 15 шт. — 199 руб.
SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236]
8769 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.086 Ом/1.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.66
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
8769 шт.
29 руб. ×
от 100 шт. — 27 руб.
SPD18P06PGBTMA1, Транзистор P-канал 60В 18.6А [TO-252]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/13.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
310 руб. ×
от 10 шт. — 284 руб.
STB55NF06T4, Транзистор N-канал 60В 50А [D2-PAK]
725 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
725 шт.
130 руб. ×
от 15 шт. — 115 руб.
STB60NF06, Транзистор N-MOSFET 60В 60А [D2PAK]
216 шт.
Бренд: Inchange
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: to-220
быстрый просмотр
216 шт.
210 руб. ×
от 100 шт. — 182 руб.
STD10PF06T4-VB, Транзистор P-MOSFET 60В 30А 34Вт [D-PAK]
830 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.061 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 34
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
830 шт.
130 руб. ×
от 15 шт. — 120 руб.
STD12NF06LT4, Транзистор N-MOSFET 60В 12А 31.3Вт [D-PAK]
261 шт.
Бренд: TECH PUBLIC
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.085 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 31.3
Крутизна характеристики, S: 25.3
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
261 шт.
60 руб. ×
от 15 шт. — 54 руб.
STD60NF06T4-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 50А 136Вт [TO-252]
386 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 8.3
Крутизна характеристики, S: 60
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
386 шт.
130 руб. ×
от 100 шт. — 117 руб.
STN3NF06L, Транзистор, N-канал, 60В, 4A [SOT-223]
720 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.3
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
720 шт.
62 руб. ×
от 50 шт. — 49 руб.
STP16NF06, Транзистор, STripFETT II, N-канал, 60В, 16А, 0.08Ом, [TO-220]
838 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/8a, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Крутизна характеристики, S: 6.5
Корпус: to-220
быстрый просмотр
838 шт.
110 руб. ×
от 15 шт. — 102 руб.
STP55NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В 50А [TO-220AB]
458 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: to-220
быстрый просмотр
458 шт.
140 руб. ×
от 15 шт. — 102 руб.
STP60NF06, Транзистор MOSFET N-CH 60В 60А [TO-220]
257 шт.
Бренд: Inchange
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: to-220
быстрый просмотр
257 шт.
130 руб. ×
от 15 шт. — 111 руб.
STP60NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.014Ом, 60А [TO-220AB]
1733 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1733 шт.
130 руб. ×
от 15 шт. — 119 руб.
STP65NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.0015Ом, 60А [TO-220AB]
611 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 50
Корпус: to-220
быстрый просмотр
611 шт.
280 руб. ×
от 15 шт. — 234 руб.
STS4DNF60L, Транзистор, STripFET, N-канал, 60В, 0.045Ом, 4A [SO-8]
987 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
987 шт.
180 руб. ×
от 25 шт. — 170 руб.
SUM110P06-08L-E3, Транзистор MOSFET P-CH 60В 110А [D2PAK (2-pin + Tab)
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 110
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 272
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
940 руб. ×
от 15 шт. — 881 руб.
TP0610K-T1-E3, Транзистор, P-канал 60В 0.185А [SOT-23]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.185
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 0.08
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
41 руб. ×
от 100 шт. — 37 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60