Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.3

_{93 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRF7456TRPBF, МОП-транзистор, N-Канальный, 16 А, 20 В, 0.0047 Ом, 10 В, 2 В, [SOP-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0065 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 44 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		73 руб. ×	от 50 шт. — 68 руб.
IRF7465TRPBF, Транзистор Nкан 150В 1.9А, [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/1.14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 0.75 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		86 руб. ×	от 50 шт. — 80 руб.
IRF7470TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.013 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 27 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 50 шт. — 107 руб.
IRF7493TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 9.2А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/5.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		380 руб. ×	от 50 шт. — 350 руб.
IRF7821PBF, Транзистор, N-канал 30В 13.6А [SO-8] Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0091 Ом/13А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		160 руб. ×	от 25 шт. — 150 руб.
IRF7832TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 20А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.004 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 7.7 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 25 шт. — 176 руб.
IRF7842TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.005 Ом/17А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 81 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 25 шт. — 188 руб.
IRF7853TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 8.3А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		290 руб. ×	от 50 шт. — 261 руб.
IRF7854TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 10А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0134 ом при 10a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 12 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 25 шт. — 221 руб.
IRF8707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 11А [SO-8] (=IRF8707PBF) Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0119 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		69 руб. ×	от 25 шт. — 60 руб.
IRF8714TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0087 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 71 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		69 руб. ×	от 25 шт. — 65 руб.
IRF8721TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 14А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0085 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 27 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		90 руб. ×	от 25 шт. — 79 руб.
IRF8736TRPBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0048 Ом/18А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 52 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		90 руб. ×	от 25 шт. — 81 руб.
IRF8788TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 24А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0028 ом при 24a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 95 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		160 руб. ×	от 25 шт. — 127 руб.
IRF9328TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 12A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0119 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		250 руб. ×	от 15 шт. — 217 руб.
IRF9335TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 5.4А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.059 Ом/5.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 5.4 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		81 руб. ×	от 25 шт. — 72 руб.
IRL6342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 9.9А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0146 Ом/9.9А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 38 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		47 руб. ×	от 50 шт. — 44 руб.
IRLML9301TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3] 1043 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/4.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 18 Корпус: Micro-3/SOT-23-3	быстрый просмотр	1043 шт.	18 руб. ×
SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236] 5406 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.054 Ом/3.6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 18 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	5406 шт.	40 руб. ×	от 100 шт. — 30 руб.
FDS6679AZ, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 13А [SOIC-8-0.154"] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0093 Ом/13А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 55 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 25 шт. — 106 руб.