Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)17 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Краснодар
Красноярск
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
2SK2134, Транзистор, N-канал, 200В, 13А [TO-220AB]
93 шт.
Пр-во: NEC
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 ом при 7a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: 2
Корпус: to220ab
быстрый просмотр
93 шт.
50 руб. ×
от 15 шт. — 45 руб.
от 150 шт. — 42 руб.
2SK3530, Транзистор, SuperFAP-G, N-канал, 800В, 7А, 1.9Ом [2-10R1B / TO-220F]
185 шт.
Пр-во: Fuji Electric
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: ±7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.9 ом при 3.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: to220fp
быстрый просмотр
185 шт.
100 руб. ×
от 15 шт. — 95 руб.
от 150 шт. — 93 руб.
IRF530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]
3838 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 ом при 9a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: to220ab
быстрый просмотр
3838 шт.
37 руб. ×
от 15 шт. — 34 руб.
от 150 шт. — 32 руб.
IRF530NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [D2-PAK]
293 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 ом при 9a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: d2pak
быстрый просмотр
293 шт.
52 руб. ×
от 15 шт. — 45 руб.
от 150 шт. — 42 руб.
STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]
813 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 ом при 4a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: dpak
быстрый просмотр
813 шт.
80 руб. ×
от 15 шт. — 72 руб.
от 150 шт. — 70 руб.
STD2NK90ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 900В 2.1А [D-PAK]
2400 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6.5 ом при 1.05a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: 2.3
Корпус: dpak
быстрый просмотр
2400 шт.
65 руб. ×
от 15 шт. — 64 руб.
от 150 шт. — 62 руб.
STD3NK80ZT4, Транзистор, N-канал, 800В, 2,5A [D-PAK]
1541 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 ом при 1.25a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: dpak
быстрый просмотр
1541 шт.
34 руб. ×
от 15 шт. — 28 руб.
от 150 шт. — 26 руб.
STD5N52K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4 А [D-PAK]
127 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 525
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 ом при 2.2a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: dpak
быстрый просмотр
127 шт.
50 руб. ×
от 15 шт. — 43 руб.
от 150 шт. — 41 руб.
STD5NK50ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 500В 4.4А [D-PAK]
743 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 ом при 2.2a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: dpak
быстрый просмотр
743 шт.
45 руб. ×
от 15 шт. — 39 руб.
от 150 шт. — 37 руб.
STP3NK80Z, Транзистор MOSFET N-канал 800В 2.5А [TO-220]
196 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 ом при 1.25a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: 2.1
Корпус: to220ab
быстрый просмотр
196 шт.
41 руб. ×
от 15 шт. — 33 руб.
от 150 шт. — 31 руб.
STP5N52K3, Транзистор, SuperMESH 3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4А [TO-220AB]
42 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 525
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 ом при 2.2a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: to220ab
быстрый просмотр
42 шт.
80 руб. ×
от 15 шт. — 76 руб.
от 150 шт. — 75 руб.
STD11NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.4 Ом, 8.5 А, DPAK
3-5 недель, 1047 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.47 ом при 4.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: dpak
быстрый просмотр
3-5 недель,
1047 шт.
135 руб. ×
STD4N62K3, Mosfet SuperMESH3, N-канал, 620 В, 1.7 Ом, 3.8 А, DPAK
60 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 620
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.95 ом при 1.9a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: dpak
быстрый просмотр
60 шт.
91 руб. ×
от 2 шт. — 60 руб.
от 5 шт. — 36 руб.
от 10 шт. — 30 руб.
STD9NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.63 Ом, 6.5 А, DPAK
3-5 недель, 20000 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.745 ом при 3.25a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: dpak
быстрый просмотр
3-5 недель,
20000 шт.
118 руб. ×
STP4N62K3, Mosfet SuperMESH3, N-канал, 620 В, 1.7 Ом, 3.8 А, TO-220
3-5 недель, 4000 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 620
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.95 ом при 1.9a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: to220ab
быстрый просмотр
3-5 недель,
4000 шт.
86 руб. ×
STD11NM50N
6 дней, 1946 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 400
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: -
Корпус: dpak
быстрый просмотр
6 дней,
1946 шт.
120 руб. ×
от 20 шт. — 51 руб.
от 40 шт. — 46 руб.
от 80 шт. — 41 руб.
STD4N62K3
6 дней, 212 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 620
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1700
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: -
Корпус: dpak
быстрый просмотр
6 дней,
212 шт.
57 руб. ×
от 24 шт. — 28 руб.
от 48 шт. — 20 руб.
от 95 шт. — 17 руб.