Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.2

_{97 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRF7342TR, Транзистор 2P-MOSFET 55В 3.4А 2Вт [SOP-8] 3740 шт. Бренд: UMW Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 Ом/3.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 3.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	3740 шт.	39 руб. ×	от 50 шт. — 36 руб.
IRF7343TR, Транзистор N/P-MOSFET 55В 3.7А/4.3А 2Вт [SOP-8] 4130 шт. Бренд: UMW Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065/0.09 Ом/4.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 7.9/3.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	4130 шт.	28 руб. ×	от 50 шт. — 26 руб.
IRF7351TR, Транзистор 2N-MOSFET 60В 8А 2Вт [SOP-8] 2386 шт. Бренд: UMW Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 18 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	2386 шт.	45 руб. ×	от 50 шт. — 41 руб.
IRFL9014TR, Транзистор P-MOSFET 60В 8A 2Вт [SOT-223] 1984 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 62 мОм/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 1.3 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	1984 шт.	39 руб. ×	от 100 шт. — 35 руб.
IRFR5505TR, Транзистор P-MOSFET 60В 10A 2Вт [DPAK / TO-252] 2277 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 80 мОм/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 15.4 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	2277 шт.	46 руб. ×	от 100 шт. — 42 руб.
NTR4503NT1G, Транзистор N-MOSFET 30В 2А 2.5Вт 0.42Вт [SOT-23-3] 2990 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 85 мОм/2.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 5.3 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	2990 шт.	9 руб. ×	от 100 шт. — 8 руб.
SI9945BDY, Транзистор 2N-MOSFET 60В 4.3А 1.7Вт [SOP-8] 3000 шт. Бренд: UMW Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 25 мОм/4.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOP-8/SOIC-8	быстрый просмотр	3000 шт.	32 руб. ×	от 100 шт. — 29 руб.
AO4600, Транзистор N-канал/P-канал, 30В, 6.9/5А, 2Вт, 0.027/0.049Ом [SO-8] Бренд: Alpha & Omega Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.9/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 ом при6.9А, 10В/0.049 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 16/11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 25 шт. — 111 руб.
AO4606, Транзистор, N-канал/P-канал, 30В, 6.9/6А, 2Вт, 0.028Ом/0.035Ом [SO-8] Бренд: Alpha & Omega Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.9/6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6А, 10В/0.028 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 15/18 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		90 руб. ×	от 25 шт. — 79 руб.
AO4822A, Транзистор 2N-MOSFET 30В 8А SOIC-8-0.154 Бренд: Alpha & Omega Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 30 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		120 руб. ×	от 3 шт. — 110 руб.
AO4828, Транзистор, 2 N-каннала, 60В, 4.5А, 0.056Ом [SO-8] Бренд: Alpha & Omega Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 25 шт. — 104 руб.
AP4511GM, Транзистор, N+ P-канал, 35В, 7/-6.1A, 25/40мОм [SO-8] 217 шт. Бренд: Advanced Power Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 35 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7/6.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.025 Ом/7А, 10В/0.04 Ом/6.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 9/9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	217 шт.	98 руб. ×	от 10 шт. — 81 руб.
AP4525GEM, Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -5 А/6 А, 2 Вт, [SOP-8] 328 шт. Бренд: Advanced Power Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/6А, 10В/0.042 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 6/5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	328 шт.	120 руб. ×	от 15 шт. — 106 руб.
FDS4559, Транзистор N/P-MOSFET 60В 6А/5А [SOP-8] 1402 шт. Бренд: TECH PUBLIC Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	1402 шт.	40 руб. ×	от 100 шт. — 36 руб.
FDS4897C, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 40В 6.2А/-4.4А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.2/4.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6.2А, 10В/0.046 при 4.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 21/12 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 25 шт. — 210 руб.
FDS8958A, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 30В 7/-5А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/7А, 10В/0.052 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11/19 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 25 шт. — 186 руб.
FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6.5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		88 руб. ×	от 25 шт. — 74 руб.
FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8] 878 шт. Бренд: VBsemi Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/7.1А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 27 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	878 шт.	50 руб. ×	от 15 шт. — 45 руб.
FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8] 2414 шт. Бренд: TECH PUBLIC Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.026 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	2414 шт.	60 руб. ×	от 15 шт. — 54 руб.
IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 3.8 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		81 руб. ×	от 50 шт. — 72 руб.