Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

6 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 21А [PQFN-3.3x3.3]
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0038 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
84 руб. ×
от 50 шт. — 79 руб.
от 500 шт. — 73 руб.
IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-кан 30В 10A, [PQFN-3х3] (=IRFHM8363TR2PBF)
Пр-во: Infineon
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0149 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
190 руб. ×
от 15 шт. — 163 руб.
от 150 шт. — 158 руб.
IRFHM9331TRPBF, Транзистор, P-канал -30В -11А [PQFN-3.3x3.3] (=IRFHM9331TR2PBF)
Пр-во: Infineon
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/11А, 20В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8
Крутизна характеристики, S: 16
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
190 руб. ×
от 15 шт. — 170 руб.
от 150 шт. — 159 руб.
IRLHM620TRPBF, Транзистор, N-канал 20В 40А [PQFN-3.3x3.3]
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0025 Ом/20А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37
Крутизна характеристики, S: 58
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
96 руб. ×
от 50 шт. — 90 руб.
от 500 шт. — 84 руб.
IRFHM8326TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 19А 4.7мОм [PQFN-3.3x3.3]
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 19
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0047 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8
Крутизна характеристики, S: 70
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
96 руб. ×
от 15 шт. — 87 руб.
от 150 шт. — 82.40 руб.
IRFHM8329TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 16А [PQFN 3.3X3.3 8L]
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0061 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 33
Крутизна характеристики, S: 56
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
63 руб. ×
от 15 шт. — 53 руб.
от 150 шт. — 50.40 руб.