Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)7 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]
592 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
592 шт.
170 руб. ×
от 15 шт. — 158 руб.
от 150 шт. — 156 руб.
STGB10NB37LZT4, Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]
479 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh, internally clamped
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 440
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 1300
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 8000
Рабочая температура (Tj), °C: -65…+175
Корпус: d2-pak
быстрый просмотр
479 шт.
140 руб. ×
от 15 шт. — 139 руб.
от 150 шт. — 134 руб.
STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [D-PAK]
243 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh, internally clamped
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 420
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 650
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 13500
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: d-pak
быстрый просмотр
243 шт.
110 руб. ×
от 15 шт. — 104 руб.
от 150 шт. — 103 руб.
IRG4PH30KDPBF, 1200В 20А 3.1В [ТО-247АС]
153 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 4.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 220
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
153 шт.
250 руб. ×
от 15 шт. — 234 руб.
от 150 шт. — 232 руб.
IRG4PH30KPBF, IGBT 1200В 10А 4-20кГц [ТО-247АС]
13 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 4.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 28
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
13 шт.
120 руб. ×
от 15 шт. — 108 руб.
от 150 шт. — 106 руб.
IRGB4064DPBF, IGBT 600В 20А TO220AB
4 дня, 50 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.91
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 101
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 79
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
4 дня,
50 шт.
400 руб. ×
от 9 шт. — 230 руб.
от 17 шт. — 201 руб.
от 33 шт. — 185 руб.
IRGS4064DPBF, Транзистор IGBT 600В 10А 8-30кГц D2Pak
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.91
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 101
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 79
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: d2-pak
быстрый просмотр
По запросу
100 руб. ×