Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.5

_{220 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

SPA11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А[TO-220FP] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.45 Ом/7.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 156 Крутизна характеристики, S: 7.5 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр		540 руб. ×	от 15 шт. — 470 руб.
SPA20N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 20.7А [TO-220FP] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/13.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 34.5 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр		790 руб. ×	от 15 шт. — 739 руб.
SPD06N80C3ATMA1, Транзистор, N-канал 800В 6А [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9 Ом/3.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 83 Крутизна характеристики, S: 4 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		250 руб. ×	от 15 шт. — 234 руб.
SPP11N60C3XKSA1, Транзистор, N-канал 600В 11А 0.38Ом [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Крутизна характеристики, S: 8.3 Корпус: PG-TO220	быстрый просмотр		400 руб. ×	от 15 шт. — 366 руб.
SPP11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.45 Ом/7.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 156 Крутизна характеристики, S: 7.5 Корпус: PG-TO220	быстрый просмотр		450 руб. ×	от 15 шт. — 413 руб.
SPP17N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 17А 0.29Ом [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: PG-TO220	быстрый просмотр		790 руб. ×	от 15 шт. — 714 руб.
SPP20N60S5XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 20А [TO-220] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/13А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208 Корпус: PG-TO220	быстрый просмотр		860 руб. ×	от 15 шт. — 805 руб.
SPW11N80C3FKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А 450мОм [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.45 Ом/7.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 156 Крутизна характеристики, S: 7.5 Корпус: PG-TO247	быстрый просмотр		740 руб. ×	от 15 шт. — 635 руб.
SPW17N80C3FKSA1, Транзистор, N-канал 800В 17А 290мОм [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: PG-TO247	быстрый просмотр		1 500 руб. ×	от 15 шт. — 1 400 руб.
SPW20N60C3FKSA1, Транзистор, N-канал 600В 20А 190мОм [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/13.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208 Крутизна характеристики, S: 17.5 Корпус: PG-TO247	быстрый просмотр		960 руб. ×	от 15 шт. — 900 руб.
STB6NK60ZT4, Транзистор MOSFET N-канал 600В 6А [D2-PAK] 171 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	171 шт.	110 руб. ×	от 15 шт. — 98 руб.
STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал 600В 7А [D2-PAK] 757 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Крутизна характеристики, S: 5.3 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	757 шт.	420 руб. ×	от 15 шт. — 383 руб.
STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK] 1377 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	1377 шт.	240 руб. ×	от 50 шт. — 220 руб.
STD2NK90ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 900В 2.1А [D-PAK] 864 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6.5 Ом/1.05А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Крутизна характеристики, S: 2.3 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	864 шт.	170 руб. ×	от 15 шт. — 153 руб.
STD3NK60ZT4, Транзистор N-MOSFET 600В 2.4А 45Вт [D-PAK] 104 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.6 Ом/1.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	104 шт.	120 руб. ×	от 15 шт. — 108 руб.
STD3NK90ZT4, Транзистор N-MOSFET 900В 4А 75Вт [D-PAK] 375 шт. Бренд: Tokmas Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75 Крутизна характеристики, S: 4.5 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	375 шт.	160 руб. ×	от 15 шт. — 144 руб.
STF10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10А [TO-220FP] 429 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	429 шт.	200 руб. ×	от 15 шт. — 165 руб.
STF13NM60N, Транзистор MOSFET N-CH 600V 11A [TO-220FP] 375 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.36 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	375 шт.	250 руб. ×	от 15 шт. — 209 руб.
STF3NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 800В 2.5А [TO-220FP] 353 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Крутизна характеристики, S: 2.1 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	353 шт.	140 руб. ×	от 15 шт. — 113 руб.
STF9NK90Z, Транзистор MOSFET N-канал 900В 8А [TO-220FP] 578 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/3.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	578 шт.	210 руб. ×	от 15 шт. — 201 руб.