Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.4

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

AO3400A, Транзистор N-MOSFET 30В 5.7А [SOT-23-3] Бренд: Alpha & Omega Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0265 Ом/5.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 33 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		70 руб. ×	от 100 шт. — 60 руб.
AO3401A, Транзистор P-MOSFET 30В 4А [SOT-23-3] Бренд: Alpha & Omega Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.044 Ом/4.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		70 руб. ×	от 100 шт. — 50 руб.
AO3407A, Транзистор P-MOSFET 30В 4.3A [SOT-23-3] Бренд: Alpha & Omega Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.048 Ом/4.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		87 руб. ×	от 25 шт. — 64 руб.
APM4015PUC-TRL-VB, Транзистор P-MOSFET 40В 50А [TO-252] 1253 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/17А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3 Крутизна характеристики, S: 61 Корпус: TO-252	быстрый просмотр	1253 шт.	50 руб. ×	от 100 шт. — 45 руб.
AUIRLR2905Z, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 60А [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 310 руб.
BF998E6327HTSA1, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-143] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.03 Корпус: SOT-143	быстрый просмотр		45 руб. ×	от 50 шт. — 41 руб.
BS170, Транзистор, N-канал, 60В, 0.5А [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83 Крутизна характеристики, S: 0.32 Корпус: TO-92	быстрый просмотр		24 руб. ×	от 100 шт. — 22 руб.
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23-3] 3053 шт. Бренд: JCET Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6 Ом/0.17А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36 Крутизна характеристики, S: 370 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	3053 шт.	6 руб. ×	от 100 шт. — 4.50 руб.
BSS138, Транзистор, MOSFET, N-канал, 0.2А, 50В, [SOT-23-3] 9628 шт. Бренд: Slkor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/0.22А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36 Крутизна характеристики, S: 0.1 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	9628 шт.	13 руб. ×	от 100 шт. — 9 руб.
BSS138, Транзистор, N-канал, 50В, 0.22А [SOT-23-3] (=BSS138LT1G, BSS138-7-F) 12143 шт. Бренд: Hottech Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/0.22А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36 Крутизна характеристики, S: 0.1 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	12143 шт.	6 руб. ×	от 100 шт. — 4 руб.
FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/29.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 500 Крутизна характеристики, S: 52 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		610 руб. ×	от 15 шт. — 597 руб.
FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252] 1617 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 187 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	1617 шт.	54 руб. ×	от 100 шт. — 49 руб.
FDPF12N60NZ, Транзистор N-канал 600В 12А (=FQPF12N60C), [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.65 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 39 Крутизна характеристики, S: 13.5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 290 руб.
FDS9435A, Транзистор, PowerTrench, P-канал, 30В 5.3А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/5.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		73 руб. ×	от 25 шт. — 65 руб.
FQP4N90C, Транзистор, N-канал 900В 4А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 186 руб.
FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220] Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Крутизна характеристики, S: 40 Корпус: to-220	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 15 шт. — 188 руб.
FQPF10N60C, Транзистор, N-канал 600В 9.5А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.73 Ом/4.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 156 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		250 руб. ×	от 15 шт. — 223 руб.
FQPF5N60C, Транзистор, QFET, N-канал, 600В, 4.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 33 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		200 руб. ×	от 15 шт. — 172 руб.
FQPF8N60CFT, Транзистор, N-канал 600В 7.5А (=SSP7N60B), [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/3.13А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 147 Крутизна характеристики, S: 8.2 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		250 руб. ×	от 15 шт. — 216 руб.
IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 84 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/50А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 69 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		190 руб. ×	от 15 шт. — 151 руб.