Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{514 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223] 4695 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	4695 шт.	12 руб. ×	от 50 шт. — 11 руб.
1N65G, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [SOT-223] 2302 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	2302 шт.	14 руб. ×	от 50 шт. — 12 руб.
1N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [TO-252] 2201 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2201 шт.	14 руб. ×	от 50 шт. — 13 руб.
1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252] 1977 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	1977 шт.	15 руб. ×	от 50 шт. — 13 руб.
2N65G, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [SOT-223] 4888 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1А, 10В Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	4888 шт.	15 руб. ×	от 50 шт. — 13 руб.
2N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [TO-252] 3550 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1А, 10В Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	3550 шт.	16 руб. ×	от 50 шт. — 14 руб.
2N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [TO-252] 1137 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1А, 10В Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	1137 шт.	17 руб. ×	от 50 шт. — 15 руб.
2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223] 4147 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1А, 10В Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	4147 шт.	18 руб. ×	от 50 шт. — 16 руб.
4N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 4А [TO-252] 2104 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.3 Ом/2А, 10В Корпус: dpak	быстрый просмотр	2104 шт.	18 руб. ×	от 15 шт. — 17 руб.
BS108, Транзистор, N-канал [TO-92] [EOL] По запросу Бренд: Китай Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8 Ом/0.1А, 2.8В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	По запросу	20 руб. ×	от 10 шт. — 17 руб.
2N60G 7-9 недель, 10020 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: - Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	7-9 недель, 10020 шт.	22 руб. ×	от 50 шт. — 17 руб. от 150 шт. — 15 руб. от 500 шт. — 11.39 руб.
IRFR13N20DPBF, MOSFET N-канал 200В 14А [D-PAK] Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.235 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 6.2 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		24 руб. ×	от 25 шт. — 20 руб.
STF7N52K3, Mosfet SuperMESH3, N-канал, 525 В, 0.72 Ом, 6 А, TO-220FP По запросу Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 525 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 720 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Корпус: to220fp	быстрый просмотр	По запросу	24 руб. ×
BSS131H6327XTSA1, Транзистор MOSFET N-канал 240В 0.11А [SOT-23-3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 240 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 14 Ом/0.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		25 руб. ×	от 100 шт. — 24 руб.
1N65L 7-9 недель, 18215 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: - Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	7-9 недель, 18215 шт.	25 руб. ×	от 50 шт. — 20 руб. от 150 шт. — 17 руб. от 500 шт. — 13.33 руб.
2N65L 7-9 недель, 11880 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: - Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	7-9 недель, 11880 шт.	25 руб. ×	от 50 шт. — 19 руб. от 150 шт. — 16 руб. от 500 шт. — 13.58 руб.
4N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 4А [TO-252] 1583 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В Крутизна характеристики, S: 2.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	1583 шт.	29 руб. ×	от 50 шт. — 26 руб.
FQD1N80TM, Nкан 800В 1А DPAK Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 20 ом при 0.5а, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 0.75 Корпус: dpak	быстрый просмотр		30 руб. ×
7N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-252] 1657 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/3.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 3 Корпус: dpak	быстрый просмотр	1657 шт.	33 руб. ×	от 15 шт. — 30 руб.
STP4NK60ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 600V 4A [TO-220FP] 2142 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Крутизна характеристики, S: 3 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	2142 шт.	35 руб. ×	от 5 шт. — 33 руб.