Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.2

_{58 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRF7854TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 10А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0134 ом при 10a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 12 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 25 шт. — 221 руб.
IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-кан 30В 10A, [PQFN-3х3] (=IRFHM8363TR2PBF) Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0149 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)	быстрый просмотр		200 руб. ×	от 15 шт. — 167 руб.
IRFZ14PBF, Транзистор, N-канал 60В 10А [TO-220AB] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 43 Крутизна характеристики, S: 2.4 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 95 руб.
IRL520NPBF, Транзистор N-CH 100V 10A [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.18 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48 Крутизна характеристики, S: 3.1 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 15 шт. — 97 руб.
IRL520NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 10А [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.18 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48 Крутизна характеристики, S: 3.1 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 15 шт. — 95 руб.
IRLR120NTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 10А [DPAK 2Leads+Tab] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.185 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48 Крутизна характеристики, S: 3.1 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		190 руб. ×	от 15 шт. — 168 руб.
IRLU120NPBF, Транзистор, N-канал 100В 10А logic [TO-251AA/I-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.185 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48 Крутизна характеристики, S: 3.1 Корпус: IPAK	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 86 руб.
STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK] 1374 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	1374 шт.	240 руб. ×	от 50 шт. — 220 руб.
STF10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10А [TO-220FP] 429 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	429 шт.	200 руб. ×	от 15 шт. — 165 руб.
STP10NK60Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 600 В, 0.65 Ом, 10А [TO-220AB] 289 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 115 Крутизна характеристики, S: 7.8 Корпус: to-220	быстрый просмотр	289 шт.	150 руб. ×	от 15 шт. — 132 руб.
STP10NK60ZFP, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 600 В, 0.65 Ом, 10А [TO-220FP] 355 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	355 шт.	140 руб. ×	от 15 шт. — 126 руб.
STP11NK50Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 10А, 500В, 0.48Ом [TO-220AB] 111 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Крутизна характеристики, S: 7.7 Корпус: to-220	быстрый просмотр	111 шт.	190 руб. ×	от 15 шт. — 151 руб.
STP11NK50ZFP, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 10А, 500В, 0.48Ом [TO-220FP] 185 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30 Крутизна характеристики, S: 7.7 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	185 шт.	110 руб. ×	от 15 шт. — 96 руб.
TK10A60D(STA4.X.M), Транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А, 45 Вт, [TO-220F] 134 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 6 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	134 шт.	250 руб. ×
WMJ90R500S, Транзистор N-MOSFET 900В 10А 133Вт [TO-247] 60 шт. Бренд: Wayon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.41 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 138 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	60 шт.	370 руб. ×	от 5 шт. — 345 руб.
2SK2996, Транзистор, N-канал, высоковольтные ключи [TO-220F] 85 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 ом при5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 6.8 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	85 шт.	290 руб. ×
FDS6690AS, Транзистор N-MOSFET 30В 10А [SOIC-8-0.154] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 12 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		54 руб. ×	от 5 шт. — 53 руб.
IRF7416PBF, Транзистор, P-канал 30В 10А [SO-8] Бренд: IR Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/5.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 5.6 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		45 руб. ×	от 10 шт. — 39 руб.
AO4485 7-9 недель, 581 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 12.5 мОм/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.7 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	7-9 недель, 581 шт.	28 руб. ×	от 30 шт. — 24 руб. от 100 шт. — 21.70 руб.
IRF7416TR 7-9 недель, 10985 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 20 мОм/5.6A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 5.6 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	7-9 недель, 10985 шт.	46 руб. ×	от 50 шт. — 36 руб. от 150 шт. — 32 руб. от 500 шт. — 23.61 руб.