Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.7

_{197 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRF7907TRPBF, Транзистор 2хN-канала 30В 11А, [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0164 Ом/9.1А, 10В/0.0118 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 19/24 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		440 руб. ×	от 25 шт. — 419 руб.
IRF8313TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9.7A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0155 Ом/9.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 23 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		150 руб. ×	от 25 шт. — 138 руб.
IRF8707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 11А [SO-8] (=IRF8707PBF) Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0119 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		69 руб. ×	от 25 шт. — 60 руб.
IRF8714TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0087 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 71 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		69 руб. ×	от 25 шт. — 65 руб.
IRF8721TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 14А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0085 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 27 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		90 руб. ×	от 25 шт. — 79 руб.
IRF8736TRPBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0048 Ом/18А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 52 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		90 руб. ×	от 25 шт. — 81 руб.
IRF8788TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 24А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0028 ом при 24a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 95 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		160 руб. ×	от 25 шт. — 127 руб.
IRF9328TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 12A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0119 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		250 руб. ×	от 15 шт. — 217 руб.
IRF9335TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 5.4А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.059 Ом/5.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 5.4 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		81 руб. ×	от 25 шт. — 72 руб.
IRF9358TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0163 Ом/9.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 23 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		150 руб. ×	от 25 шт. — 126 руб.
IRF9362TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канала, 30В, 8А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.021 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 12 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 25 шт. — 106 руб.
IRF9389TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 6.8/-4.6А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.8/4.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/6.8А, 10В/0.064 Ом/4.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.2/4.1 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		230 руб. ×	от 25 шт. — 194 руб.
IRF9952TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5/2.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/2.2А, 10В/0.25 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Крутизна характеристики, S: 02.04.2012 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		79 руб. ×	от 25 шт. — 69 руб.
IRF9956TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 3.5А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/2.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 12 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		77 руб. ×	от 25 шт. — 68 руб.
IRL6342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 9.9А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0146 Ом/9.9А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 38 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		47 руб. ×	от 50 шт. — 44 руб.
IRL6372TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 8.1А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0179 Ом/8.1А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 30 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 25 шт. — 93 руб.
NDS9948, Транзистор 2P-канала 60В 2.3А 0.25Ом [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/2.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		110 руб. ×	от 10 шт. — 94 руб.
SI9435BDY-T1-E3, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 4.1А [SOIC-8] Бренд: Vishay Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.042 Ом/5.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		48 руб. ×	от 25 шт. — 40 руб.
STS4DNF60L, Транзистор, STripFET, N-канал, 60В, 0.045Ом, 4A [SO-8] 989 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	989 шт.	180 руб. ×	от 25 шт. — 170 руб.
FDS4559, Транзистор N/P-CH 60V 4.5/3.5A [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5/3.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/4.5А, 10В/0.105 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 14/9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		41 руб. ×	от 25 шт. — 37 руб.