Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)136 из более 1000
Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
1 шт.
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 27
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68
Крутизна характеристики, S: 6.5
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
1 шт. |
69 руб.
×
от 15 шт. — 59 руб.
|
|
2 шт.
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 78
Крутизна характеристики, S: 7.6
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
2 шт. |
81 руб.
×
от 10 шт. — 73 руб.
|
|
1 шт.
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/17А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 46
Крутизна характеристики, S: 6.4
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
1 шт. |
32 руб.
×
от 15 шт. — 27 руб.
|
|
1335 шт.
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 65
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 46
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
1335 шт. |
170 руб.
×
от 15 шт. — 147 руб.
|
|
2 шт.
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 161
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0033 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Крутизна характеристики, S: 37
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
2 шт. |
77 руб.
×
от 15 шт. — 69 руб.
|
|
2 шт.
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 81
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0057Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 63
Крутизна характеристики, S: 81
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
2 шт. |
74 руб.
×
от 15 шт. — 65 руб.
|
|
376 шт.
Пр-во: Anpec
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 57
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
376 шт. |
140 руб.
×
от 15 шт. — 108 руб.
|
|
851 шт.
Пр-во: Anpec
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
851 шт. |
160 руб.
×
от 15 шт. — 141 руб.
|
|
223 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 91
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0075 Ом/42А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Крутизна характеристики, S: 31
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
223 шт. |
350 руб.
×
от 15 шт. — 305 руб.
|
|
60 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 62
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/37А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 91
Крутизна характеристики, S: 120
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
60 шт. |
350 руб.
×
от 15 шт. — 287 руб.
|
|
251 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.295 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 3.6
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
251 шт. |
500 руб.
×
от 15 шт. — 452 руб.
|
|
9 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.00425 Ом/60А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79
Крутизна характеристики, S: 63
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
9 шт. |
300 руб.
×
от 15 шт. — 272 руб.
|
|
613 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
613 шт. |
400 руб.
×
от 15 шт. — 351 руб.
|
|
402 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
402 шт. |
400 руб.
×
от 15 шт. — 364 руб.
|
|
287 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 89
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/42А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 130
Крутизна характеристики, S: 89
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
287 шт. |
400 руб.
×
от 15 шт. — 356 руб.
|
|
144 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 35
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Крутизна характеристики, S: 53
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
144 шт. |
260 руб.
×
от 15 шт. — 218 руб.
|
|
3627 шт.
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0085 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 44
Крутизна характеристики, S: 58
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
3627 шт. |
230 руб.
×
от 15 шт. — 176 руб.
|
|
97 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/7.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
97 шт. |
120 руб.
×
от 15 шт. — 88 руб.
|
|
304 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/8.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 42
Крутизна характеристики, S: 6.2
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
304 шт. |
140 руб.
×
от 15 шт. — 101 руб.
|
|
571 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/4.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50
Крутизна характеристики, S: 4.2
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
571 шт. |
83 руб.
×
от 15 шт. — 69 руб.
|