Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)11 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN]
264 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 186
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-3p
быстрый просмотр
264 шт.
300 руб. ×
от 15 шт. — 286 руб.
от 150 шт. — 284 руб.
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247]
221 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247g03
быстрый просмотр
221 шт.
480 руб. ×
от 15 шт. — 462 руб.
от 150 шт. — 460 руб.
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]
43 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: 2-16f1a
быстрый просмотр
43 шт.
290 руб. ×
от 15 шт. — 276 руб.
от 150 шт. — 274 руб.
IKW15N120H3FKSA1 (K15H1203), Транзистор IGBT, N-канальный, 1200 В, 30 А, 217 Вт, [TO-247]
459 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 217
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
быстрый просмотр
459 шт.
400 руб. ×
от 15 шт. — 378 руб.
от 150 шт. — 376 руб.
SGP15N120XKSA1 (GP15N120), Транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт [TO-220] (замена для BUP213)
198 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 198
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 580
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
быстрый просмотр
198 шт.
380 руб. ×
от 15 шт. — 359 руб.
от 150 шт. — 358 руб.
IRG4PH40KDPBF, 1200В 42А 2.6В [ТО-247АС]
90 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 96
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
90 шт.
360 руб. ×
от 10 шт. — 338 руб.
от 100 шт. — 331 руб.
SGP30N60, FastIGBT 600В 30A [TO-220]
1 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Рабочая температура (Tj), °C: -55…150
Корпус: to220
1 шт.
540 руб. ×
FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220]
3-5 недель, 1560 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 178
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 9.3
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.8
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
3-5 недель,
1560 шт.
654 руб. ×
от 10 шт. — 539 руб.
от 30 шт. — 456 руб.
от 100 шт. — 387 руб.
IRG7PH30K10DPBF, IGBT 1200В 30А 4-20кГЦ TO247AC
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.35
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
По запросу
230 руб. ×
IRG8P15N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 15А [TO-247]
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen8
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 170
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
По запросу
350 руб. ×
IXGF30N400, Транзистор, IGBT, 4000В, 30А [ISOPLUS i4-Pak]
По запросу
Пр-во: Ixys
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 4000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 360
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 5.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: isoplus i4-pak
быстрый просмотр
По запросу
2 690 руб. ×
от 3 шт. — 2 580 руб.
от 30 шт. — 2 475 руб.