Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.17

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRLR7833TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 140А [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 140 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0045 Ом/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 66 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 15 шт. — 211 руб.
IRLR7843TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 160А [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 161 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0033 Ом/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 37 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		250 руб. ×	от 15 шт. — 216 руб.
IRLR8256TRPBF, Транзистор N-MOSFET 25В 81A [DPAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 81 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0057Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 63 Крутизна характеристики, S: 81 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		77 руб. ×	от 15 шт. — 68 руб.
IRLR8726TRPBF, Транзистор N-MOSFET 30В 86A [DPAK / TO-252] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 85 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0058 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 83 руб.
IRLR8729TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 58А [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 58 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0089 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		150 руб. ×	от 15 шт. — 118 руб.
IRLR8743TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 160А [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 160 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0031 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 135 Крутизна характеристики, S: 89 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 179 руб.
IRLTS2242TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 6.9A [Micro-6 / TSOP-6] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.032 Ом/6.9А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.5 Корпус: Micro-6/SOT-23-6	быстрый просмотр		60 руб. ×	от 20 шт. — 56 руб.
IRLU024NPBF, Транзистор, N-канал 55В 17А logic [TO-251AA/I-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 8.3 Корпус: IPAK	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 83 руб.
IRLU120NPBF, Транзистор, N-канал 100В 10А logic [TO-251AA/I-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.185 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48 Крутизна характеристики, S: 3.1 Корпус: IPAK	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 86 руб.
IRLZ24NPBF, Транзистор, N-канал 55В 18А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 8.3 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 77 руб.
IRLZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 27А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		140 руб. ×	от 15 шт. — 94 руб.
IRLZ34NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 30А [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 27 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 56 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 89 руб.
IRLZ44NPBF, Транзистор, N-канал 55В 47А logic [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		160 руб. ×	от 15 шт. — 127 руб.
IRLZ44NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 55В 47А [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		230 руб. ×	от 15 шт. — 189 руб.
IRLZ44PBF, Транзистор, N-канал 60В 50А logic [TO-220AB] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/31А, 5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 23 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		200 руб. ×	от 15 шт. — 159 руб.
IRLZ44ZPBF, Транзистор, N-канал 55В 51А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0135 Ом/31А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		140 руб. ×	от 15 шт. — 106 руб.
IXFN56N90P, Транзистор, Polar HiPerFET, N-канал, 56А, 900В, 0.145Ом, [SOT-227] Бренд: Ixys Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 56 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.135 Ом/28А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1000 Крутизна характеристики, S: 44 Корпус: SOT-227	быстрый просмотр		7 980 руб. ×	от 2 шт. — 7 350 руб.
IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P] Бренд: Ixys Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 400 Крутизна характеристики, S: 58 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр		950 руб. ×	от 15 шт. — 862 руб.
LND150N3-G, Транзистор Depletion-Mode DMOS FET N-CH 500В 30мА [TO-92] Бренд: Microchip Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.03 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1000 Ом/0.05А, 0В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.74 Корпус: TO-92	быстрый просмотр		650 руб. ×	от 15 шт. — 569 руб.
MMBF170LT1G, Транзистор MOSFET N-канал 60В 500vА [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		17 руб. ×
MMBF170LT1G-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3] 4567 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.3 Ом/0.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.3 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	4567 шт.	12 руб. ×	от 100 шт. — 11 руб.
MMF60R580P, Транзистор полевой, N-канал, Id=8А, Vdss=600В, Vgs(th)=2…4В, Rds(on)=580 мОм [TO-220F] 202 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.58 Ом/2.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 26 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	202 шт.	470 руб. ×	от 15 шт. — 432 руб.
MS12N100FC, Транзистор N-MOSFET 1000В 12А 160Вт [TO-247] 298 шт. Бренд: MASPOWER Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.35 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 272 Крутизна характеристики, S: 9.5 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	298 шт.	200 руб. ×	от 10 шт. — 190 руб.
MS12N120HGC0, Транзистор N-MOSFET 1200В 12А 290Вт [TO-247] 174 шт. Бренд: MASPOWER Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 290 Крутизна характеристики, S: 9 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	174 шт.	540 руб. ×	от 10 шт. — 486 руб.
MS30N100HGC0, Транзистор N-MOSFET 1000В 30А 290Вт [TO-247] 291 шт. Бренд: MASPOWER Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1000 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 290 Крутизна характеристики, S: 30 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	291 шт.	680 руб. ×	от 10 шт. — 612 руб.
MS4N1350E, Транзистор N-MOSFET 1350В 4А 80Вт [TO-263] 246 шт. Бренд: MASPOWER Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9 Ом/1.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80 Крутизна характеристики, S: 2.6 Корпус: TO-263	быстрый просмотр	246 шт.	170 руб. ×	от 10 шт. — 153 руб.
MS4N1350W, Транзистор N-MOSFET 1350В 4А 140Вт [TO-247] 204 шт. Бренд: MASPOWER Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9 Ом/1.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 2.6 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	204 шт.	190 руб. ×	от 10 шт. — 171 руб.
MS5N100FD, Транзистор N-MOSFET 1000В 5А 68Вт [TO-252] 210 шт. Бренд: MASPOWER Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68 Крутизна характеристики, S: 3 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	210 шт.	70 руб. ×	от 10 шт. — 63 руб.
MS5N100FT, Транзистор N-MOSFET 1000В 5А 68Вт [TO-220] 101 шт. Бренд: MASPOWER Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68 Крутизна характеристики, S: 3 Корпус: to-220	быстрый просмотр	101 шт.	70 руб. ×	от 10 шт. — 63 руб.
MS6N120FT, Транзистор N-MOSFET 1200В 6А 160Вт [TO-220] 273 шт. Бренд: MASPOWER Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160 Крутизна характеристики, S: 5.7 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	273 шт.	140 руб. ×	от 10 шт. — 126 руб.
MS8N100FE, Транзистор N-MOSFET 1000В 8А 31.7Вт [TO-263] 172 шт. Бренд: MASPOWER Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1000 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 167 Крутизна характеристики, S: 5.6 Корпус: TO-263	быстрый просмотр	172 шт.	140 руб. ×	от 10 шт. — 126 руб.
MS8N120FC, Транзистор N-MOSFET 1200В 8А 260Вт [TO-247] 259 шт. Бренд: MASPOWER Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 260 Крутизна характеристики, S: 7.5 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	259 шт.	240 руб. ×	от 10 шт. — 216 руб.
MS8N120FT, Транзистор N-MOSFET 1200В 8А 260Вт [TO-220] 219 шт. Бренд: MASPOWER Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/4А, 10В Крутизна характеристики, S: 7.5 Корпус: to-220	быстрый просмотр	219 шт.	170 руб. ×	от 10 шт. — 153 руб.
MS9N150H1, Транзистор N-MOSFET 1500В 9А 350Вт [TO-247] 383 шт. Бренд: MASPOWER Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.2 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 350 Крутизна характеристики, S: 7 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	383 шт.	460 руб. ×	от 15 шт. — 414 руб.
NDS331N, Транзистор MOSFET N-CH 20V 1.3A, [SSOT-3] Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.21 Ом/1.3А, 2.7В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Крутизна характеристики, S: 3.5 Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3	быстрый просмотр		24 руб. ×
NDS9948, Транзистор 2P-канала 60В 2.3А 0.25Ом [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/2.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		110 руб. ×	от 10 шт. — 94 руб.
NTMFS4935NT1G, Транзистор N-CH 30V 93A [SO-8FL] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 93 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0032 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48 Крутизна характеристики, S: 32 Корпус: SO-8FL	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 165 руб.
NTMFS4C06NT1G, Транзистор N-MOSFET 30В 11A/69A [DFN-5(5x6)/SO-8FL] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 69 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.004 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30.5 Корпус: SO-8FL	быстрый просмотр		290 руб. ×	от 15 шт. — 249 руб.
NTMFS4C09NT1G, Транзистор MOSFET N-CH 30В 9А [SO-8 FL] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 52 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0058 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25.5 Корпус: SO-8FL	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 15 шт. — 98 руб.
AO3402A, Транзистор N-MOSFET 30В 4А [SOT-23-3] По запросу Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 52 мОм/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	По запросу	6 руб. ×	от 100 шт. — 5 руб.