Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.11

_{336 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRLR8743TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 160А [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 160 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0031 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 135 Крутизна характеристики, S: 89 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 179 руб.
NTMFS4935NT1G, Транзистор N-CH 30V 93A [SO-8FL] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 93 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0032 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48 Крутизна характеристики, S: 32 Корпус: SO-8FL	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 165 руб.
NTMFS4C06NT1G, Транзистор N-MOSFET 30В 11A/69A [DFN-5(5x6)/SO-8FL] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 69 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.004 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30.5 Корпус: SO-8FL	быстрый просмотр		290 руб. ×	от 15 шт. — 249 руб.
NTMFS4C09NT1G, Транзистор MOSFET N-CH 30В 9А [SO-8 FL] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 52 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0058 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25.5 Корпус: SO-8FL	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 15 шт. — 98 руб.
PSMN3R4-30PL,127, Транзистор Logic level MOSFET, 30В, 100А [SOT-78 / TO-220AB] 124 шт. Бренд: Nexperia Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0034 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 114 Корпус: to-220	быстрый просмотр	124 шт.	490 руб. ×	от 15 шт. — 457 руб.
RD01MUS2-T113, Транзистор для VHF/UHF усилителей, 1.6Вт, 14dB, 7.2В, 527МГц [SOT-89] Бренд: Mitsubishi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.6 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.06 Корпус: sot-89	быстрый просмотр		180 руб. ×	от 20 шт. — 136 руб.
SI2300DS-T1-GE3, Транзистор N-CH 30V 3.6A [SOT-23-3] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.068 Ом/2.9А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.7 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		54 руб. ×	от 100 шт. — 49 руб.
SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236] 5406 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.054 Ом/3.6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 18 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	5406 шт.	40 руб. ×	от 100 шт. — 30 руб.
SI9435BDY-T1-E3, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 4.1А [SOIC-8] Бренд: Vishay Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.042 Ом/5.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		48 руб. ×	от 25 шт. — 40 руб.
STD17NF03LT4, МОП-транзистор, N-канальный, 17 А, 30 В, 50 мОм, 16 В, 1.5 В, [TO-252] 859 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/8.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30 Крутизна характеристики, S: 12 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	859 шт.	65 руб. ×	от 15 шт. — 64 руб.
STP80NF03L-04, Транзистор MOSFET N-канал 30В 80А [TO-220] 83 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/40А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: to-220	быстрый просмотр	83 шт.	230 руб. ×	от 15 шт. — 216 руб.
КП526А9 (202*г), Транзистор MOSFET N-канал 30В 1.49А [КТ-46 /SOT-23-3] (=IRLML2803) 2998 шт. Бренд: Кремний Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.49 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.39 Ом/0.5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.31 Корпус: КТ-46/SOT-23-3	быстрый просмотр	2998 шт.	85 руб. ×	от 100 шт. — 80 руб.
FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT-23-3] Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/2.2А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3	быстрый просмотр		26 руб. ×	от 100 шт. — 23 руб.
FDN360P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 2А [SuperSOT-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.08 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3	быстрый просмотр		48 руб. ×	от 100 шт. — 44 руб.
FDS6679AZ, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 13А [SOIC-8-0.154"] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0093 Ом/13А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 55 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 25 шт. — 106 руб.
FDS6690AS, Транзистор N-MOSFET 30В 10А [SOIC-8-0.154] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 12 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		54 руб. ×	от 5 шт. — 53 руб.
IPP055N03LGXKSA1, Транзистор MOSFET N-CH 30V 50A [TO-220-3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0055 ом при 30a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68 Крутизна характеристики, S: 75 Корпус: to220	быстрый просмотр		270 руб. ×
IRF7309PBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8] Бренд: IR Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9/3.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.4А, 10В/0.1 Ом/1.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 5.2/2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		35 руб. ×	от 10 шт. — 29 руб.
IRF7406TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 5.8A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/2.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 3.1 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		80 руб. ×	от 15 шт. — 75 руб.
IRF7416PBF, Транзистор, P-канал 30В 10А [SO-8] Бренд: IR Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/5.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 5.6 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		45 руб. ×	от 10 шт. — 39 руб.