Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.8

337 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
IRF8736TRPBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0048 Ом/18А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
90 руб. ×
от 25 шт. — 81 руб.
IRF8788TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 24А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0028 ом при 24a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 95
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
160 руб. ×
от 25 шт. — 127 руб.
IRF9328TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 12A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0119 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
250 руб. ×
от 15 шт. — 217 руб.
IRF9335TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 5.4А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.059 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 5.4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
81 руб. ×
от 25 шт. — 72 руб.
IRF9358TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0163 Ом/9.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
150 руб. ×
от 25 шт. — 126 руб.
IRF9362TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канала, 30В, 8А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.021 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 25 шт. — 106 руб.
IRF9389TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 6.8/-4.6А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.8/4.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/6.8А, 10В/0.064 Ом/4.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.2/4.1
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
230 руб. ×
от 25 шт. — 194 руб.
IRF9952TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5/2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/2.2А, 10В/0.25 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 02.04.2012
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
79 руб. ×
от 25 шт. — 69 руб.
IRF9956TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 3.5А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
77 руб. ×
от 25 шт. — 68 руб.
IRFH3702TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 16А [PQFN-3x3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0071 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8
Крутизна характеристики, S: 37
Корпус: PQFN-8(3X3)
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 15 шт. — 77 руб.
IRFH3707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 12А [PQFN-3x3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0124 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: PQFN-8(3X3)
быстрый просмотр
140 руб. ×
от 15 шт. — 122 руб.
IRFH5300TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 100А [PQFN-5x6] (=IRFH5300TR2PBF)
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0014 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250
Крутизна характеристики, S: 190
Корпус: PQFN-8(5X6)
быстрый просмотр
570 руб. ×
от 15 шт. — 514 руб.
IRFH5301TRPBF, Транзистор N-канал 30В 100А, (=IRFH5301TR2PBF), [PQFN-5x6]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.00185 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 218
Корпус: PQFN-8(5X6)
быстрый просмотр
140 руб. ×
от 50 шт. — 123 руб.
IRFH8318TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 50А [PQFN-5x6] (=IRFH8318TR2PBF)
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0031 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 59
Крутизна характеристики, S: 81
Корпус: PQFN-8(5X6)
быстрый просмотр
280 руб. ×
от 15 шт. — 226 руб.
IRFH8321TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 25А 4.9мОм, [PQFN-5x6]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0049 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 54
Крутизна характеристики, S: 68
Корпус: PQFN-8(5X6)
быстрый просмотр
280 руб. ×
от 15 шт. — 260 руб.
IRFH9310TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 40А [PQFN-5x6]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0046 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Крутизна характеристики, S: 39
Корпус: PQFN-8(5X6)
быстрый просмотр
230 руб. ×
от 15 шт. — 225 руб.
IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 21А [PQFN-3.3x3.3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0038 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
86 руб. ×
от 50 шт. — 81 руб.
IRFHM8326TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 19А 4.7мОм [PQFN-3.3x3.3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 19
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0047 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8
Крутизна характеристики, S: 70
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
110 руб. ×
от 15 шт. — 102 руб.
IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-кан 30В 10A, [PQFN-3х3] (=IRFHM8363TR2PBF)
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0149 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
200 руб. ×
от 15 шт. — 167 руб.
IRFHM9331TRPBF, Транзистор, P-канал -30В -11А [PQFN-3.3x3.3] (=IRFHM9331TR2PBF)
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/11А, 20В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8
Крутизна характеристики, S: 16
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
210 руб. ×
от 15 шт. — 183 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60