Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.29

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

AUIRFB8407, Транзистор, Autom Q101 N-канал 40В 195А 2мОм [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 195 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.002 Ом/100А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 230 Крутизна характеристики, S: 160 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	440 руб. ×	от 15 шт. — 392 руб.
AUIRFB8409, Транзистор, Autom Q101 Nкан 40В 195А 1.3мОм [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 195 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0013 Ом/100А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 375 Крутизна характеристики, S: 150 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	480 руб. ×	от 15 шт. — 460 руб.
AUIRL3705ZS, Транзистор MOSFET N-канал Si 55В 86А [D2-PАK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 86 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/52А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 130 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	270 руб. ×	от 15 шт. — 258 руб.
BS108ZL1G, Транзистор, N-канал [TO-92] [EOL] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8 Ом/0.1А, 2.8В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 0.33 Корпус: TO-92(Formed Leads)	быстрый просмотр	170 руб. ×	от 10 шт. — 143 руб.
BSS138-7-F, Транзистор, MOSFET, N-канал, 0.2А, 50В, [SOT-23] Бренд: Diodes Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/0.22А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.3 Крутизна характеристики, S: 0.1 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	7 руб. ×	от 100 шт. — 6 руб.
BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/0.22А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36 Крутизна характеристики, S: 0.1 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	48 руб. ×	от 100 шт. — 32 руб.
BUZ30AH3045AATMA1, Транзистор, SIPMOS, 200В, 21А, 0.13 Ом, [PG-TO-263-3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/13.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: PG-TO263-3	быстрый просмотр	75 руб. ×	от 15 шт. — 68 руб.
FCP11N60F, Транзистор, N-канал 600В 11А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Крутизна характеристики, S: 9.7 Корпус: to-220	быстрый просмотр	370 руб. ×	от 15 шт. — 360 руб.
FCPF22N60NT, Транзистор, N-канал 600В 22А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 39 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	910 руб. ×	от 15 шт. — 856 руб.
FCPF7N60, Транзистор, N-канал 600В 7А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 83 Крутизна характеристики, S: 6 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	500 руб. ×	от 15 шт. — 434 руб.
FDMC8884, МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 30 В, 0.016 Ом, 10 В, 1.9 В [MLP-3.3x3.3] Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 18 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: MLP-8(3.3X3.3)	быстрый просмотр	69 руб. ×	от 15 шт. — 60 руб.
FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT-23-3] Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/2.2А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3	быстрый просмотр	26 руб. ×	от 100 шт. — 23 руб.
FDS6690AS, Транзистор N-MOSFET 30В 10А [SOIC-8-0.154] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 12 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	54 руб. ×	от 5 шт. — 53 руб.
FQP85N06, МОП-транзистор, N Канал, 85 А, 60 В, 10 мОм, 10 В, 4 В [TO-220] Бренд: Fairchild Структура: N-канал Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 ом при 42.5a, 10в	быстрый просмотр	1 000 руб. ×
FQT4N20LTF, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 0.8А [SOT-223] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.85 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/0.425, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.2 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	60 руб. ×	от 50 шт. — 52 руб.
IPP055N03LGXKSA1, Транзистор MOSFET N-CH 30V 50A [TO-220-3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0055 ом при 30a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68 Крутизна характеристики, S: 75 Корпус: to220	быстрый просмотр	270 руб. ×
IRF2907ZS-7PPBF, Транзистор N-канал 75В 160А, [D2-Pak-7] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 160 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0038 Ом/110А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Крутизна характеристики, S: 94 Корпус: D2PAK-7(6 Leads+Tab)	быстрый просмотр	290 руб. ×	от 15 шт. — 270 руб.
IRF3717PBF, Транзистор N-канал 20В 20А [SO-8] [EOL] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0044 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 57 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	490 руб. ×
IRF7452PBF, Транзистор, N-канал 100В 4.5А [SO-8] Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/2.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 3.4 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	68 руб. ×	от 25 шт. — 62 руб.
IRF7468PBF, Транзистор, N-канал 40В 18А, [SO-8] Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0155 Ом/9.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 27 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	65 руб. ×	от 25 шт. — 57 руб.