Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

75 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
2SK2134-Z, Транзистор N-MOSFET 200В 13А [D2PAK]
187 шт.
Бренд: Inchange
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: d2pak
быстрый просмотр
187 шт.
310 руб. ×
от 5 шт. — 290 руб.
BSC350N20NSFDATMA1, Транзистор MOSFET N-канал 200В 35А [TDSON-8 EP]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/35А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Корпус: PG-TDSON-8
быстрый просмотр
250 руб. ×
от 15 шт. — 235 руб.
BSP149H6327XTSA1, Транзистор N-MOSFET 200В 660мА [SOT-223]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.66
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.7 Ом/0.07A/0В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.8
Крутизна характеристики, S: 0.8
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 15 шт. — 102 руб.
FDP52N20, Транзистор, UniFET, N-канал, 200В, 52А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 52
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.049 Ом/26А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 357
Корпус: to-220
быстрый просмотр
330 руб. ×
от 15 шт. — 260 руб.
FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [D-PAK]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
250 руб. ×
от 15 шт. — 240 руб.
FQP12P20, Транзистор, QFET, P-канал, 200В, 11.5А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.47 Ом/5.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120
Корпус: to-220
быстрый просмотр
190 руб. ×
от 15 шт. — 151 руб.
FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 19
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.17 Ом/9.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 139
Корпус: to-220
быстрый просмотр
210 руб. ×
от 15 шт. — 181 руб.
FQP32N20C, Транзистор, N-канал 200В 28А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.082 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: to-220
быстрый просмотр
290 руб. ×
от 15 шт. — 239 руб.
IRF610PBF, Транзистор, N-канал 200В 3.3А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36
Крутизна характеристики, S: 0.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
98 руб. ×
от 15 шт. — 77 руб.
IRF620PBF, Транзистор, N-канал 200В 5.2А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.8 Ом/3.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 15 шт. — 89 руб.
IRF630, Транзистор, N-канал 200В 9А [TO-220AB]
822 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
822 шт.
160 руб. ×
от 15 шт. — 144 руб.
IRF630NPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.3А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
180 руб. ×
от 15 шт. — 130 руб.
IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 82
Крутизна характеристики, S: 4.9
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
270 руб. ×
от 50 шт. — 198 руб.
IRF630PBF, Транзистор, N-канал 200В 9.0А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
98 руб. ×
от 15 шт. — 77 руб.
IRF640NPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.15 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 6.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
78 руб. ×
от 50 шт. — 73 руб.
IRF640NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.15 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 6.8
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
290 руб. ×
от 15 шт. — 248 руб.
IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.18 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 6.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
290 руб. ×
от 15 шт. — 231 руб.
IRF640SPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.18 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 130
Крутизна характеристики, S: 6.7
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
190 руб. ×
от 50 шт. — 164 руб.
IRF9610PBF, Транзистор, P-канал 200В 1.8А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3 Ом/0.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 20
Крутизна характеристики, S: 0.9
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 15 шт. — 93 руб.
IRF9620PBF, Транзистор MOSFET P-канал 200В 3.5A [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40
Крутизна характеристики, S: 1
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 15 шт. — 95 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60