Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.27, (картинки)

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Технология/семейство
сбросить
Наличие встроенного диода
сбросить
Максимальное напряжение КЭ ,В
сбросить
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
сбросить
Импульсный ток коллектора (Icm), А
сбросить
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
сбросить
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
сбросить
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
сбросить
Рабочая температура (Tj), °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
AUIRG4PC40S-E, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHESбыстрый просмотр
Infineon
3 370 руб.
AUIRGSL4062D1, Транзистор: IGBT, Trench, 600В, 39А, 123Вт, TO262быстрый просмотр
Infineon
1 380 руб.
от 3 шт. — 1 260 руб.
от 10 шт. — 1 030 руб.
F3L400R10W3S7FB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор ...быстрый просмотр
Infineon
48 610 руб.
от 5 шт. — 38 350 руб.
FF1500R17IP5PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge] ...быстрый просмотр
Infineon
306 600 руб.
FF1800R12IE5PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 1.8 кА, 1.7 В ...быстрый просмотр
Infineon
234 900 руб.
FF1800R17IP5BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge] ...быстрый просмотр
Infineon
221 600 руб.
FF200R17KE4, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,7кВбыстрый просмотр
Infineon
55 890 руб.
от 3 шт. — 48 230 руб.
FF300R07ME4B11BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 390 А, 1.55 В ...быстрый просмотр
Infineon
25 530 руб.
от 5 шт. — 23 000 руб.
FF300R07ME4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 300 А, 1.55 В ...быстрый просмотр
Infineon
32 450 руб.
от 5 шт. — 26 990 руб.
от 10 шт. — 21 210 руб.
FF300R17KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 404 А, 2 В ...быстрый просмотр
Infineon
58 250 руб.
FF400R07A01E3S6XKSA2, IGBT Modules HYBRID PACK DSC SIбыстрый просмотр
Infineon
31 160 руб.
FF400R07A01E3S6XKSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 400 А, 1.65 В ...быстрый просмотр
Infineon
32 000 руб.
от 5 шт. — 29 820 руб.
от 10 шт. — 27 700 руб.
FF450R12KE4, IGBT Modules N-CH 1.2KV 520Aбыстрый просмотр
Infineon
46 410 руб.
от 10 шт. — 37 860 руб.
FF450R33T3E3B5BPSA1, Trans IGBT Module N-CH 3300V 450A 10-Pin Trayбыстрый просмотр
Infineon
271 400 руб.
FF600R07ME4BPSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER ECONOбыстрый просмотр
Infineon
44 520 руб.
от 10 шт. — 37 210 руб.
FF600R07ME4BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 600 А, 1.55 В ...быстрый просмотр
Infineon
39 810 руб.
от 5 шт. — 33 120 руб.
FF600R12KE4EBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, Common Emitter ...быстрый просмотр
Infineon
71 450 руб.
от 5 шт. — 66 400 руб.
FGA3060ADF, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tubeбыстрый просмотр
ON Semiconductor
440 руб.
от 100 шт. — 389 руб.
FGA30T65SHD, Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tubeбыстрый просмотр
ON Semiconductor
650 руб.
FGA40T65UQDF, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tubeбыстрый просмотр
ON Semiconductor
450 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60