Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › N MOSFET

Транзисторы полевые N-канальные, стр.12

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FDA24N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		680 руб. ×	от 15 шт. — 621 руб.
FDA28N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 28А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310 Крутизна характеристики, S: 35 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		1 020 руб. ×	от 15 шт. — 980 руб.
FDA38N30, Транзистор, UniFET, N-канал, 300В, 38А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 38 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.085 Ом/19А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 312 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		540 руб. ×	от 15 шт. — 462 руб.
FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.049 Ом/29.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 392 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		370 руб. ×	от 15 шт. — 315 руб.
FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/29.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 500 Крутизна характеристики, S: 52 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		610 руб. ×	от 15 шт. — 597 руб.
FDA69N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 69А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 69 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.041 Ом/34.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 480 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		600 руб. ×	от 15 шт. — 537 руб.
FDC655BN, Транзистор, PowerTrench, Logic Level, N-канал, 30В, 3.6А [SSOT-6] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.025 Ом/6.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.6 Корпус: SuperSOT-6/SOT-23-6	быстрый просмотр		100 руб. ×	от 25 шт. — 89 руб.
FDD6635, Транзистор N-канал 35В 59А 0.010Ом [D-PAK / TO-252] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 35 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Крутизна характеристики, S: 53 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		210 руб. ×	от 15 шт. — 175 руб.
FDD8447L, Транзистор, N-канал 40В 50А [D-PAK] Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0085 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 44 Крутизна характеристики, S: 58 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		190 руб. ×	от 15 шт. — 141 руб.
FDN337N, Транзистор N-канал 30В 2.2А [SOT-23-3] 17421 шт. Бренд: FUXINSEMI Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/2.2А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	17421 шт.	8 руб. ×	от 5 шт. — 7.50 руб.
FDP025N06, Транзистор, PowerTrench, N-кан 60В 265А 2.5мОм [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 265 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0025 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 395 Крутизна характеристики, S: 200 Корпус: to-220	быстрый просмотр		890 руб. ×	от 15 шт. — 833 руб.
FDP032N08, Транзистор, PowerTrench, N-канал, 75В, 235А, 3.2мОм [TO220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0032 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 375 Крутизна характеристики, S: 180 Корпус: to-220	быстрый просмотр		720 руб. ×	от 50 шт. — 661 руб.
FDP047N08, Транзистор N-MOSFET 75В 164А TO220-3 Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 164 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0047 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 268 Крутизна характеристики, S: 150 Корпус: to-220	быстрый просмотр		640 руб. ×	от 15 шт. — 604 руб.
FDP18N50, Транзистор N-CH 500V 18A [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.265 Ом/9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 235 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: to-220	быстрый просмотр		440 руб. ×	от 15 шт. — 389 руб.
FDP22N50N, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 22А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 312.5 Корпус: to-220	быстрый просмотр		570 руб. ×	от 15 шт. — 498 руб.
FDP24N40, Транзистор N-MOSFET 400В 24А [TO-220-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 227 Корпус: to-220	быстрый просмотр		900 руб. ×	от 15 шт. — 869 руб.
FDP2532, Транзистор PowerTrench N-канал 150В 79А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 79 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/33А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310 Корпус: to-220	быстрый просмотр		450 руб. ×	от 15 шт. — 406 руб.
FDP3651U, Транзистор N-канал 100В 80А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/80А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 255 Корпус: to-220	быстрый просмотр		560 руб. ×	от 15 шт. — 509 руб.
FDP51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 320 Корпус: to-220	быстрый просмотр		520 руб. ×	от 15 шт. — 505 руб.
FDP52N20, Транзистор, UniFET, N-канал, 200В, 52А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 52 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.049 Ом/26А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 357 Корпус: to-220	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 260 руб.