Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › N MOSFET

Транзисторы полевые N-канальные, стр.13

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FDP7030BL, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 60А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.009 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60 Корпус: to-220	быстрый просмотр		150 руб. ×	от 15 шт. — 121 руб.
FDPF12N50NZ, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 11.5А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/5.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 42 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		510 руб. ×	от 15 шт. — 452 руб.
FDPF12N60NZ, Транзистор N-канал 600В 12А (=FQPF12N60C), [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.65 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 39 Крутизна характеристики, S: 13.5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 290 руб.
FDPF18N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 18А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.265 Ом/9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38.5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		410 руб. ×	от 15 шт. — 351 руб.
FDPF33N25T, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 33А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.094 Ом/16.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		370 руб. ×	от 15 шт. — 323 руб.
FDPF4N60NZ, Транзистор, UniFET II, N-канал, 600В, 3.8А, 2.5Ом (=SSS4N60B), [TO-220FP] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/1.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 28 Крутизна характеристики, S: 3.3 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 15 шт. — 191 руб.
FDPF51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		410 руб. ×	от 15 шт. — 351 руб.
FDPF5N50UT, Транзистор N-MOSFET 500В 4А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 28 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		180 руб. ×	от 15 шт. — 140 руб.
FDS6680A, Транзистор N-MOSFET 30В 12.5А [SOIC-8-0.154] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9.5 Ом/12.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 5 шт. — 106 руб.
FDS8880, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 11.6А [SOIC-8-0.154"] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/11.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		69 руб. ×	от 25 шт. — 60 руб.
FDV301N, Транзистор N-CH 25V 220MA [SOT-23] Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4 Ом/0.4А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 0.2 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		28 руб. ×	от 100 шт. — 24 руб.
FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23] Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.68 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.45 Ом/0.5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 1.45 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		19 руб. ×	от 50 шт. — 18 руб.
FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		1 100 руб. ×	от 15 шт. — 1 050 руб.
FQA70N15, Транзистор N Канал, 70 А, 150 В, 0.023 Ом, 10 В, 4 В [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 70 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/35А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330 Крутизна характеристики, S: 48 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		600 руб. ×	от 15 шт. — 598 руб.
FQA9N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 9А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 280 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		620 руб. ×	от 15 шт. — 556 руб.
FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [D-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		250 руб. ×	от 15 шт. — 240 руб.
FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/7.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 73 руб.
FQP13N10, Транзистор N-MOSFET 100В 12.8А 65Вт [TO-220] 309 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.18 Ом/6.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 65 Корпус: to-220	быстрый просмотр	309 шт.	110 руб. ×	от 100 шт. — 98 руб.
FQP13N10L-VB, Транзистор N-MOSFET 100В 18А 105Вт [TO-220AB] 352 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.127 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: to-220	быстрый просмотр	352 шт.	110 руб. ×	от 15 шт. — 99 руб.
FQP13N50C, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.48 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 195 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: to-220	быстрый просмотр		280 руб. ×	от 15 шт. — 239 руб.