Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › 1200 В

Транзисторы биполярные с изолированным затвором 1200 В, стр.2

_{44 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

MSG40T120FQC, Транзистор IGBT 1200В 40А 342Вт [TO-247] 310 шт. Бренд: MASPOWER Технология/семейство: Trench/Field-Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 342 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 85 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	310 шт.	340 руб. ×	от 10 шт. — 306 руб.
MSG75T120FQW, Транзистор IGBT 1200В 75А 625Вт [TO-264] 10 шт. Бренд: MASPOWER Технология/семейство: Trench/Field-Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 115 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 230 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 441 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 205 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	10 шт.	730 руб. ×	от 10 шт. — 653 руб.
SGP02N120XKSA1 (GP02N120), Транзистор IGBT 1200В 6.2А 62Вт [TO-220] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 6.2 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 9.6 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 62 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO-220-3-1	быстрый просмотр		480 руб. ×	от 15 шт. — 470 руб.
SGP07N120XKSA1 (GP07N120), Тарнзистор IGBT 1200В 8А 125Вт [TO-220] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16.5 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 27 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 440 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO-220-3-1	быстрый просмотр		470 руб. ×	от 15 шт. — 429 руб.
SGW25N120FKSA1, Транзистор IGBT, NPT, 1200В, 25А [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 313 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 730 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		1 360 руб. ×	от 15 шт. — 1 310 руб.
SKW25N120FKSA1 (K25N120), Транзистор IGBT 1200В 25А 313Вт [TO-247] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 313 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 730 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		2 120 руб. ×	от 15 шт. — 2 090 руб.
FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 186 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр		390 руб. ×	от 15 шт. — 360 руб.
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 312 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр		520 руб. ×	от 50 шт. — 457 руб.
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop, Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		950 руб. ×	от 15 шт. — 904 руб.
FGH40T120SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 1200В, 40А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop, Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 555 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 475 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		1 970 руб. ×
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 64 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		2 700 руб. ×
IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 190 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 560 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		680 руб. ×	от 15 шт. — 670 руб.
IKQ40N120CT2XKSA1 (K40MCT2), Транзистор, IGBT TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А, 2-20кГц, [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.15 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 328 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3-46	быстрый просмотр		750 руб. ×	от 15 шт. — 700 руб.
MSG50T120FQW, Транзистор IGBT 1200В 50А 320Вт [TO-264] 10 недель, 100 шт. Бренд: MASPOWER Технология/семейство: Trench/Field-Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 535 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 118 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 282 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	10 недель, 100 шт.	510 руб. ×	от 10 шт. — 452 руб.
SGP15N120XKSA1 (GP15N120), Транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт [TO-220] (замена для BUP213) Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 198 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 580 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO-220-3-1	быстрый просмотр		770 руб. ×	от 15 шт. — 714 руб.
YGW25N120U2, Транзистор IGBT Trench Field Stop 1200В 25А [TO-247] 9 недель, 120 шт. Бренд: luxin-semi Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 210 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 90 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	9 недель, 120 шт.	290 руб. ×	от 10 шт. — 260 руб.
IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200В 35А 8-30кГц TO247AC восстановленное лужение выводов Бренд: Infineon Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9 Корпус: to247ac	быстрый просмотр		580 руб. ×	от 10 шт. — 540 руб. от 40 шт. — 498 руб. от 70 шт. — 489.85 руб.
NCE25TD120VT, IGBT транзистор 1200В 25A TO-247 6-7 дней, 190 шт. Бренд: Китай Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	6-7 дней, 190 шт.	440 руб. ×	от 5 шт. — 340 руб. от 20 шт. — 339 руб. от 35 шт. — 326.10 руб.
IKW40N120T2 (K40T1202)Транзистор Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 480 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 314 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO-247-3	быстрый просмотр		1 130 руб. ×
Транзистор IRG4PH50UD IXYS 7 дней, 288 шт. Бренд: No trademark Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 45 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 47 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр	7 дней, 288 шт.	4 040 руб. 3 100 руб. ×