Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.7

_{336 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRF7306TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 3.6А 0.10Ом [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/1.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	120 руб. ×	от 5 шт. — 94 руб.
IRF7309TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9/3.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.4А, 10В/0.1 Ом/1.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 5.2/2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	130 руб. ×	от 25 шт. — 102 руб.
IRF7313TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2N-канала, 30В, 6.5А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	140 руб. ×	от 25 шт. — 122 руб.
IRF7316TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 30В, 4.9А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.058 Ом/4.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 7.7 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	140 руб. ×	от 25 шт. — 98 руб.
IRF7319TRPBF, Транзистор N+P-канал 30В 4.9А, [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5/4.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В/0.058 Ом/4.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 14/7.7 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	190 руб. ×	от 25 шт. — 133 руб.
IRF7328TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канала 30В 8.0А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.021 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 12 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	180 руб. ×	от 25 шт. — 148 руб.
IRF7389TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 30В 7.3А/5.3А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.3/5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В/0.058 Ом/4.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 14/7.7 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	270 руб. ×	от 25 шт. — 130 руб.
IRF7413ZTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал 30В 13А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/13А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 62 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	68 руб. ×	от 50 шт. — 64 руб.
IRF7416TRPBF, Транзистор P-CH 30V 10A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/5.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 5.6 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	78 руб. ×	от 50 шт. — 74 руб.
IRF7455TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 15А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0075 Ом/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 44 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	73 руб. ×	от 50 шт. — 68 руб.
IRF7509TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 2.7А/-2А [Micro-8] (IRF7509PBF) Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.7/2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.11 Ом/1.7А, 10В/0.2 Ом/1.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.25 Крутизна характеристики, S: 1.9/0.92 Корпус: Micro-8/MSOP-8	быстрый просмотр	77 руб. ×	от 25 шт. — 68 руб.
IRF7606TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3.6А [Micro-8] (IRF7606PBF) Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.8 Крутизна характеристики, S: 2.3 Корпус: Micro-8/MSOP-8	быстрый просмотр	81 руб. ×	от 25 шт. — 72 руб.
IRF7821PBF, Транзистор, N-канал 30В 13.6А [SO-8] Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0091 Ом/13А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	160 руб. ×	от 25 шт. — 150 руб.
IRF7832TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 20А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.004 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 7.7 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	220 руб. ×	от 25 шт. — 176 руб.
IRF7904TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 7.6А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0162 Ом/7.6А, 10В/0.0108 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 17/23 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	200 руб. ×	от 25 шт. — 172 руб.
IRF7907TRPBF, Транзистор 2хN-канала 30В 11А, [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0164 Ом/9.1А, 10В/0.0118 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 19/24 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	440 руб. ×	от 25 шт. — 419 руб.
IRF8313TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9.7A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0155 Ом/9.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 23 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	150 руб. ×	от 25 шт. — 138 руб.
IRF8707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 11А [SO-8] (=IRF8707PBF) Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0119 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	69 руб. ×	от 25 шт. — 60 руб.
IRF8714TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0087 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 71 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	69 руб. ×	от 25 шт. — 65 руб.
IRF8721TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 14А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0085 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 27 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	90 руб. ×	от 25 шт. — 79 руб.