Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.2

_{193 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FDP7030BL, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 60А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.009 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60 Корпус: to-220	быстрый просмотр		150 руб. ×	от 15 шт. — 121 руб.
FQP12P20, Транзистор, QFET, P-канал, 200В, 11.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.47 Ом/5.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Корпус: to-220	быстрый просмотр		190 руб. ×	от 15 шт. — 151 руб.
FQP13N10, Транзистор N-MOSFET 100В 12.8А 65Вт [TO-220] 298 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.18 Ом/6.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 65 Корпус: to-220	быстрый просмотр	298 шт.	110 руб. ×	от 100 шт. — 98 руб.
FQP13N10L-VB, Транзистор N-MOSFET 100В 18А 105Вт [TO-220AB] 338 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.127 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: to-220	быстрый просмотр	338 шт.	110 руб. ×	от 15 шт. — 99 руб.
FQP13N50C, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.48 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 195 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: to-220	быстрый просмотр		280 руб. ×	от 15 шт. — 239 руб.
FQP17N40, Транзистор, QFET, N-канал, 400В, 16А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170 Корпус: to-220	быстрый просмотр		370 руб. ×	от 15 шт. — 343 руб.
FQP17P06, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 17А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.12 Ом/8.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 9.3 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 172 руб.
FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/8.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100 Корпус: to-220	быстрый просмотр		340 руб. ×	от 20 шт. — 335 руб.
FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 19 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.17 Ом/9.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 139 Корпус: to-220	быстрый просмотр		210 руб. ×	от 15 шт. — 181 руб.
FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 27 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/13.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Крутизна характеристики, S: 12.4 Корпус: to-220	быстрый просмотр		290 руб. ×	от 15 шт. — 268 руб.
FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.7 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 54 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 176 руб.
FQP30N06L, Транзистор, N-канал 60В 32А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 32 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: to-220	быстрый просмотр		200 руб. ×	от 15 шт. — 160 руб.
FQP32N20C, Транзистор, N-канал 200В 28А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.082 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: to-220	быстрый просмотр		290 руб. ×	от 15 шт. — 239 руб.
FQP33N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 33А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.052 Ом/16.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 127 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 186 руб.
FQP44N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 43.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 43.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.039 Ом/21.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 146 Корпус: to-220	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 15 шт. — 192 руб.
FQP4N90C, Транзистор, N-канал 900В 4А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 186 руб.
FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220] Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Крутизна характеристики, S: 40 Корпус: to-220	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 15 шт. — 188 руб.
FQP6N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 5.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 158 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 219 руб.
FQP6N90C, Транзистор N-MOSFET 900В 6А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.3 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 167 Корпус: to-220	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 294 руб.
IPP032N06N3GXKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 60В 120А [TO-220] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0032 Ом/100А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 188 Корпус: to-220	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 262 руб.