Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.7

_{201 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

MMBF170LT1G, Транзистор MOSFET N-канал 60В 500vА [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		17 руб. ×
MMBF170LT1G-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3] 4567 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.3 Ом/0.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.3 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	4567 шт.	12 руб. ×	от 100 шт. — 11 руб.
PMV65XP,215, Транзистор MOSFET P-CH 20V 3.9A 76 mOhm, [SOT-23-3] 4096 шт. Бренд: Nexperia Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.074 Ом/2.8А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.48 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	4096 шт.	22 руб. ×	от 100 шт. — 18 руб.
SI2300DS-T1-GE3, Транзистор N-CH 30V 3.6A [SOT-23-3] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.068 Ом/2.9А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.7 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		54 руб. ×	от 100 шт. — 49 руб.
SI2300DS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3] 1261 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	1261 шт.	24 руб. ×	от 100 шт. — 18 руб.
SI2301BDS-T1-E3, Транзистор, P-канал, -20В -2.2А [SOT-23] Бренд: Vishay Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/2.8А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.7 Крутизна характеристики, S: 6.5 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		48 руб. ×	от 100 шт. — 44 руб.
SI2302CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 2.6А 20В [SOT-23] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.057 Ом/3.6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.71 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		44 руб. ×	от 100 шт. — 41 руб.
SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236] 8769 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.086 Ом/1.7А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.66 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	8769 шт.	29 руб. ×	от 100 шт. — 27 руб.
SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 40В 5.6А [SOT-23-3] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.042Ом/4.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		72 руб. ×	от 100 шт. — 53 руб.
SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236] 5406 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.054 Ом/3.6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 18 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	5406 шт.	40 руб. ×	от 100 шт. — 30 руб.
TP0610K-T1-E3, Транзистор, P-канал 60В 0.185А [SOT-23] Бренд: Vishay Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.185 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 0.08 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		41 руб. ×	от 100 шт. — 37 руб.
2N7002L, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 80 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		14 руб. ×	от 100 шт. — 13 руб.
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6 Ом/0.17А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36 Крутизна характеристики, S: 370 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		21 руб. ×
BSS138-7-F, Транзистор, MOSFET, N-канал, 0.2А, 50В, [SOT-23] Бренд: Diodes Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/0.22А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.3 Крутизна характеристики, S: 0.1 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		7 руб. ×	от 100 шт. — 6 руб.
BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/0.22А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36 Крутизна характеристики, S: 0.1 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		48 руб. ×	от 100 шт. — 32 руб.
BSS84LT1G, Транзистор, P-канал, 50В 130мА [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 10 Ом/0.1А, 5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36 Крутизна характеристики, S: 270 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		8 руб. ×	от 100 шт. — 7 руб.
MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		27 руб. ×
SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -5.3А [SOT-23] Бренд: Vishay Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.039 Ом/4.1А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.75 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		230 руб. ×	от 100 шт. — 215 руб.
IRLML0100TR, транзистор N канал 100В 1.6А Micro3/SOT23 = IRLML0100TRPFB MOSFET = IRLML0100 Hottech 3-8 дней, 14000 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.22 Ом/1.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Крутизна характеристики, S: 5.7 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	3-8 дней, 14000 шт.	19 руб. ×	от 500 шт. — 8 руб. от 2000 шт. — 7 руб. от 3500 шт. — 6.94 руб.
IRLML9301TRPBF, транзистор P канал30В -3.6А Micro3/SOT23 3-8 дней, 1600 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 51 мОм/3.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	3-8 дней, 1600 шт.	15 руб. ×	от 500 шт. — 5 руб.