Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.4

_{197 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FDS4897C, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 40В 6.2А/-4.4А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.2/4.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6.2А, 10В/0.046 при 4.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 21/12 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 25 шт. — 210 руб.
FDS6680A, Транзистор N-MOSFET 30В 12.5А [SOIC-8-0.154] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9.5 Ом/12.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 5 шт. — 106 руб.
FDS8880, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 11.6А [SOIC-8-0.154"] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/11.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		69 руб. ×	от 25 шт. — 60 руб.
FDS8958A, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 30В 7/-5А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/7А, 10В/0.052 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11/19 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 25 шт. — 186 руб.
FDS8958B, Транзистор PowerTrench N/P-каналs 30В 6.4/-4.5А [SOIC-8-0.154"] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.4/4.5 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		120 руб. ×	от 25 шт. — 91 руб.
FDS9435A, Транзистор, PowerTrench, P-канал, 30В 5.3А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/5.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		73 руб. ×	от 25 шт. — 65 руб.
FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6.5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		88 руб. ×	от 25 шт. — 74 руб.
FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8] 878 шт. Бренд: VBsemi Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/7.1А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 27 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	878 шт.	50 руб. ×	от 15 шт. — 45 руб.
FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8] 2414 шт. Бренд: TECH PUBLIC Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.026 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	2414 шт.	60 руб. ×	от 15 шт. — 54 руб.
IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 3.8 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		81 руб. ×	от 50 шт. — 72 руб.
IRF7104TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 2.3A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		90 руб. ×	от 25 шт. — 73 руб.
IRF7105TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5/2.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/1А, 10В/0.25 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 3.1/4.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		75 руб. ×	от 50 шт. — 71 руб.
IRF7105TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 30В 6.8А/-6.6А [SOIC-8] 2665 шт. Бренд: VBsemi Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8/6.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/6.8А, 10В/0.044 Ом/6.5А, 8В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 27/25 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	2665 шт.	59 руб. ×	от 50 шт. — 55 руб.
IRF7201TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 7.3А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/7.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 5.8 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 25 шт. — 106 руб.
IRF7204TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 20В, 5.3А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/5.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 7.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		83 руб. ×	от 25 шт. — 76 руб.
IRF7205TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 4.6А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/4.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 6.6 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		72 руб. ×	от 25 шт. — 62 руб.
IRF7210TRPBF, Транзистор, P-канал 12В 16А [SO-8] (=IRF7210PBF) Бренд: IR Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.007 Ом/16А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		200 руб. ×	от 10 шт. — 163 руб.
IRF7240TRPBF, Транзистор P-CH 40V 10.5A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/10.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		350 руб. ×	от 25 шт. — 287 руб.
IRF7240TRPBF-VB, Транзистор P-канал 40В 10.2A [SOIC-8] 5016 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/10.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 37 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5016 шт.	81 руб. ×	от 50 шт. — 76 руб.
IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/2.6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		90 руб. ×	от 25 шт. — 72 руб.