Мой регион: Россия

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)18 из 454

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Волгоград
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Краснодар
Красноярск
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Пермь
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саратов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Челябинск
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
242 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
242 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 179 руб.
от 150 шт. — 177 руб.
HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]
181 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 54
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 96
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
181 шт.
130 руб. ×
от 15 шт. — 120 руб.
от 150 шт. — 118 руб.
HGTG20N60A4, IGBT 600В 70А [TO-247]
816 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
816 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 180 руб.
от 150 шт. — 178 руб.
HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]
635 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
635 шт.
200 руб. ×
от 15 шт. — 190 руб.
от 150 шт. — 188 руб.
HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]
172 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
172 шт.
120 руб. ×
от 15 шт. — 110 руб.
от 150 шт. — 108 руб.
IRG4BC30KDPBF, IGBT 600В 28А, [TO-220AB]
532 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 28
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 56
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220AB
Добавить к сравнению
532 шт.
150 руб. ×
от 15 шт. — 144 руб.
от 150 шт. — 143 руб.
IRG4BC30WPBF, Транзистор IGBT N-канал 600В 23А [TO-220AB]
249 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 99
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220AB
Добавить к сравнению
249 шт.
110 руб. ×
от 15 шт. — 106 руб.
от 150 шт. — 105 руб.
IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]
415 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 900
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 51
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 204
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 71
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
415 шт.
390 руб. ×
от 15 шт. — 380 руб.
от 150 шт. — 378 руб.
IRG4PF50WPBF, IGBT 900В 51А 100кГц [TO-247]
520 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 900
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 51
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 204
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
520 шт.
280 руб. ×
от 10 шт. — 270 руб.
от 100 шт. — 265 руб.
HGTG18N120BND, Транзистор
2-3 недели, 373 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 54
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 390
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 170
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
2-3 недели,
373 шт.
450 руб. ×
от 10 шт. — 305 руб.
от 100 шт. — 265 руб.
HGTG27N120BN, 72A/1200V N-
5-6 недель, 130 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 72
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 216
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 195
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
5-6 недель,
130 шт.
730 руб. ×
от 10 шт. — 592 руб.
от 100 шт. — 526 руб.
IRG4BC30KD-SPBF, IGBT 600В 28А [D2Pak]
3-4 недели, 320 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 28
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 56
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d2-pak
Добавить к сравнению
3-4 недели,
320 шт.
291 руб. ×
от 10 шт. — 256 руб.
от 100 шт. — 216 руб.
IRG4BC30KPBF, IGBT 600В 28А 8-25кГц [TO-220AB]
3 дня, 150 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 28
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 58
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 26
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220AB
Добавить к сравнению
3 дня,
150 шт.
130 руб. ×
от 10 шт. — 75 руб.
от 100 шт. — 64 руб.
IRG4IBC30KDPBF, Транзистор
2-3 недели, 181 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 17
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 34
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 45
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220 fullpak
Добавить к сравнению
2-3 недели,
181 шт.
91 руб. ×
IRG4PC30KDPBF, IGBT 600В 28А TO247
3-4 недели, 3056 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 28
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 58
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
3-4 недели,
3056 шт.
357 руб. ×
от 10 шт. — 313 руб.
от 100 шт. — 263 руб.
IRG4PC30WPBF, 600В 23А 150кГц TO247AC
3 шт.
Пр-во: IR
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Рабочая температура (Tj), °C: -55…150
Корпус: to247ac
Добавить к сравнению
3 шт.
210 руб. ×
от 2 шт. — 180 руб.
от 3 шт. — 170 руб.
IRG4PSH71UDPBF, IGBT+di 1200В78А Sup247
3 дня, 21 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 99
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 250
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: super-247
Добавить к сравнению
3 дня,
21 шт.
830 руб. ×
от 2 шт. — 790 руб.
от 20 шт. — 674 руб.
IXDN75N120, Транзистор, NPT IGBT, 1200В, 150А [SOT-227B (minibloc)]
По запросу
Пр-во: Ixys
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 190
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 660
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220AB
Добавить к сравнению
По запросу
1 010 руб. ×
от 3 шт. — 969 руб.
от 30 шт. — 920 руб.