Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)8 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
260 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
260 шт.
240 руб. ×
от 15 шт. — 232 руб.
от 150 шт. — 230 руб.
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]
814 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
814 шт.
220 руб. ×
от 15 шт. — 210 руб.
от 150 шт. — 208 руб.
IKW30N60TFKSA1 (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]
361 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 45
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.05
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 187
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 254
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
быстрый просмотр
361 шт.
290 руб. ×
от 15 шт. — 273 руб.
от 150 шт. — 271 руб.
IKW50N60H3FKSA1 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]
553 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 235
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
быстрый просмотр
553 шт.
350 руб. ×
от 15 шт. — 335 руб.
от 150 шт. — 333 руб.
SGP02N120XKSA1 (GP02N120), Транзистор IGBT 1200В 6.2А 62Вт [TO-220]
126 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 6.2
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 9.6
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 62
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
быстрый просмотр
126 шт.
110 руб. ×
от 15 шт. — 105 руб.
от 150 шт. — 104 руб.
IRG4PH20KPBF, 1200В 11А 3.2В ТО247АС
41 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 11
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 22
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 4.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 93
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
41 шт.
890 руб. ×
от 2 шт. — 790 руб.
от 5 шт. — 708 руб.
от 10 шт. — 669 руб.
IRG4BH20K-S, IGBT+диод 1200В 11А D2Pak
4 дня, 145 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 11
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 22
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 4.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 93
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d2-pak
быстрый просмотр
4 дня,
145 шт.
320 руб. ×
от 11 шт. — 170 руб.
от 21 шт. — 151 руб.
от 50 шт. — 137 руб.
SGH80N60UFDTU, Транзистор IGBT UFD 600В 80А 195Вт [TO-3PN]
6 дней, 44 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: ufd
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 195
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 90
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
6 дней,
44 шт.
660 руб. ×
от 3 шт. — 450 руб.
от 5 шт. — 410 руб.
от 9 шт. — 383 руб.