Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.19

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
FDA20N50F, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 22А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.26 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 388
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
580 руб. ×
от 15 шт. — 522 руб.
FDA24N40F, Транзистор, MOSFET N-CH 400В 23А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 23
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/11.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 235
Крутизна характеристики, S: 29
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
670 руб. ×
от 15 шт. — 612 руб.
FDA24N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
570 руб. ×
от 15 шт. — 495 руб.
FDA24N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
680 руб. ×
от 15 шт. — 621 руб.
FDA28N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 28А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Крутизна характеристики, S: 35
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
1 020 руб. ×
от 15 шт. — 980 руб.
FDA38N30, Транзистор, UniFET, N-канал, 300В, 38А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 38
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.085 Ом/19А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 312
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
540 руб. ×
от 15 шт. — 462 руб.
FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.049 Ом/29.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 392
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
370 руб. ×
от 15 шт. — 315 руб.
FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/29.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 500
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
610 руб. ×
от 15 шт. — 597 руб.
FDA69N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 69А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 69
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.041 Ом/34.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 480
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
600 руб. ×
от 15 шт. — 537 руб.
FDC6420C-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 20В 5,5/-3.2А [TSOP-6]
10879 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5/3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/2.5А, 10В/0.055 Ом/1.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.15
Крутизна характеристики, S: 4.3/2
Корпус: TSOP-6
быстрый просмотр
10879 шт.
27 руб. ×
от 50 шт. — 25 руб.
FDC655BN, Транзистор, PowerTrench, Logic Level, N-канал, 30В, 3.6А [SSOT-6]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.025 Ом/6.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.6
Корпус: SuperSOT-6/SOT-23-6
быстрый просмотр
100 руб. ×
от 25 шт. — 89 руб.
FDD6635, Транзистор N-канал 35В 59А 0.010Ом [D-PAK / TO-252]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 35
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Крутизна характеристики, S: 53
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
210 руб. ×
от 15 шт. — 175 руб.
FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252]
1656 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 187
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1656 шт.
54 руб. ×
от 100 шт. — 49 руб.
FDD8424H-VB, Транзистор N/P-MOSFET 40В 50А [TO-252-4L]
125 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 108
Крутизна характеристики, S: 40/18
Корпус: DPAK(4 Leads+Tab)
быстрый просмотр
125 шт.
70 руб. ×
от 100 шт. — 63 руб.
FDD8447L, Транзистор, N-канал 40В 50А [D-PAK]
Бренд: Fairchild
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0085 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 44
Крутизна характеристики, S: 58
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
190 руб. ×
от 15 шт. — 141 руб.
FDN302P, Транзистор PowerTrench P-канал 20В 2.4А [SuperSOT-3]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/2.4А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5
Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
51 руб. ×
от 100 шт. — 49 руб.
FDN337N, Транзистор N-канал 30В 2.2А [SOT-23-3]
17421 шт.
Бренд: FUXINSEMI
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
17421 шт.
8 руб. ×
от 5 шт. — 7.50 руб.
FDN358P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 1.5А [SuperSOT-3]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.125 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5
Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
58 руб. ×
от 100 шт. — 52 руб.
FDN360P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 2А [SOT-23-3]
2339 шт.
Бренд: TECH PUBLIC
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/2.2A/4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.2
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
2339 шт.
12 руб. ×
от 100 шт. — 11 руб.
FDP025N06, Транзистор, PowerTrench, N-кан 60В 265А 2.5мОм [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 265
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0025 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 395
Крутизна характеристики, S: 200
Корпус: to-220
быстрый просмотр
890 руб. ×
от 15 шт. — 833 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60