Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.6

_{280 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

BSP250,115, Транзистор Enhancement Mode D-MOS, P-канал, 30В, 3А [SOT-223] 677 шт. Бренд: Nexperia Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.65 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	677 шт.	65 руб. ×	от 100 шт. — 62 руб.
FDC655BN, Транзистор, PowerTrench, Logic Level, N-канал, 30В, 3.6А [SSOT-6] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.025 Ом/6.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.6 Корпус: SuperSOT-6/SOT-23-6	быстрый просмотр		100 руб. ×	от 25 шт. — 89 руб.
FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252] 2188 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 187 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	2188 шт.	54 руб. ×	от 100 шт. — 49 руб.
FDN337N, Транзистор N-канал 30В 2.2А [SOT-23-3] 17421 шт. Бренд: FUXINSEMI Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/2.2А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	17421 шт.	8 руб. ×	от 5 шт. — 7.50 руб.
FDN358P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 1.5А [SuperSOT-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.125 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3	быстрый просмотр		58 руб. ×	от 100 шт. — 52 руб.
FDN360P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 2А [SOT-23-3] 2339 шт. Бренд: TECH PUBLIC Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/2.2A/4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.2 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	2339 шт.	12 руб. ×	от 100 шт. — 11 руб.
FDP7030BL, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 60А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.009 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60 Корпус: to-220	быстрый просмотр		150 руб. ×	от 15 шт. — 121 руб.
FDS4435BZ, МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -30 В, 0.016 Ом, -10 В, -2.1 В [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/8.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.2 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 50 шт. — 108 руб.
FDS4935A, Транзистор 2P-MOSFET 30В 8А [SOP-8] 6367 шт. Бренд: TECH PUBLIC Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8A/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3 Корпус: SOP-8	быстрый просмотр	6367 шт.	49 руб. ×	от 100 шт. — 47 руб.
FDS6680A, Транзистор N-MOSFET 30В 12.5А [SOIC-8-0.154] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9.5 Ом/12.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 5 шт. — 106 руб.
FDS8880, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 11.6А [SOIC-8-0.154"] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/11.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		69 руб. ×	от 25 шт. — 60 руб.
FDS8958A, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 30В 7/-5А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/7А, 10В/0.052 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11/19 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 25 шт. — 186 руб.
FDS8958B, Транзистор PowerTrench N/P-каналs 30В 6.4/-4.5А [SOIC-8-0.154"] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.4/4.5 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		120 руб. ×	от 25 шт. — 91 руб.
FDS9435A, Транзистор, PowerTrench, P-канал, 30В 5.3А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/5.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		73 руб. ×	от 25 шт. — 65 руб.
IRF2903ZPBF, Транзистор, N-канал 30В 260A [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 260 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0024 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 290 Крутизна характеристики, S: 120 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		440 руб. ×	от 15 шт. — 382 руб.
IRF3703PBF, Транзистор, N-канал 30В 210А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 210 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0028 Ом/76А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 230 Крутизна характеристики, S: 150 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		360 руб. ×	от 10 шт. — 322 руб.
IRF7105TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 30В 6.8А/-6.6А [SOIC-8] 2665 шт. Бренд: VBsemi Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8/6.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/6.8А, 10В/0.044 Ом/6.5А, 8В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 27/25 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	2665 шт.	59 руб. ×	от 50 шт. — 55 руб.
IRF7201TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 7.3А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/7.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 5.8 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 25 шт. — 106 руб.
IRF7205TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 4.6А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/4.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 6.6 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		72 руб. ×	от 25 шт. — 62 руб.
IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 5.2 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 25 шт. — 89 руб.