Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)13 из более 1000

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
IRFD014PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 60В, 1.7А [HVMDIP]
1260 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 0.96
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
1260 шт.
88 руб. ×
от 15 шт. — 71 руб.
от 150 шт. — 62.30 руб.
IRFD024PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 60В, 2.5А [HVMDIP]
318 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 0.9
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
318 шт.
120 руб. ×
от 25 шт. — 100 руб.
от 250 шт. — 91.20 руб.
IRFD110PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1А [HVMDIP]
1159 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.54 Ом/0.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 0.8
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
1159 шт.
79 руб. ×
от 15 шт. — 67 руб.
от 150 шт. — 60.80 руб.
IRFD120PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1.3А [HVMDIP]
808 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/0.78А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 0.8
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
808 шт.
120 руб. ×
от 15 шт. — 87 руб.
от 150 шт. — 79.40 руб.
IRFD123PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1.3А [HVMDIP]
2015 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/0.78А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 1
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
2015 шт.
51 руб. ×
от 15 шт. — 47 руб.
от 150 шт. — 40.90 руб.
IRFD220PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 200В, 0.8А [HVMDIP]
323 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.8 Ом/0.48А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 1.1
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
323 шт.
150 руб. ×
от 25 шт. — 122 руб.
от 250 шт. — 108 руб.
IRFD320PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 400В, 0.49А [HVMDIP]
526 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.8 Ом/0.21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 2
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
526 шт.
120 руб. ×
от 15 шт. — 103 руб.
от 150 шт. — 96 руб.
IRFD420PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 500В, 0.37А [HVMDIP]
1073 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.48
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3 Ом/0.22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
1073 шт.
96 руб. ×
от 25 шт. — 85 руб.
от 250 шт. — 75.90 руб.
IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]
231 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/0.96А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 1.3
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
231 шт.
130 руб. ×
от 15 шт. — 114 руб.
от 150 шт. — 108 руб.
IRFD9110PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 0.7A [HVMDIP]
716 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/0.42А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 0.6
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
716 шт.
120 руб. ×
от 15 шт. — 103 руб.
от 150 шт. — 96 руб.
IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP]
161 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/0.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 0.71
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
161 шт.
120 руб. ×
от 15 шт. — 89 руб.
от 150 шт. — 77.10 руб.
IRLD024PBF, Транзистор, N-канал 60В 2.5А, [HD-1]
975 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/1.5А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 42
Крутизна характеристики, S: 7.3
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
975 шт.
96 руб. ×
от 15 шт. — 84 руб.
от 150 шт. — 75.90 руб.
IRLD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А, [HD-1]
507 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.54 Ом/0.6А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 1.3
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
507 шт.
96 руб. ×
от 15 шт. — 81 руб.
от 150 шт. — 74.80 руб.