Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.27

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FF1200R12IE5BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 1.2 кА, 1.7 В, 175 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	230 900 руб. ×
FF1500R17IP5PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 1.5 кА, 1.75 В, 175 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	301 600 руб. ×
FF1800R12IE5PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 1.8 кА, 1.7 В, 175 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	231 100 руб. ×
FF1800R17IP5BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 1.8 кА, 1.75 В, 175 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	218 000 руб. ×
FF200R17KE4, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,7кВ Бренд: Infineon	быстрый просмотр	55 410 руб. ×	от 3 шт. — 47 810 руб.
FF300R07ME4B11BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 390 А, 1.55 В, 1.1 кВт, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	25 110 руб. ×	от 5 шт. — 22 620 руб.
FF300R07ME4BOSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO Бренд: Infineon	быстрый просмотр	33 540 руб. ×
FF300R07ME4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 300 А, 1.55 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	31 920 руб. ×	от 5 шт. — 26 550 руб. от 10 шт. — 20 860 руб.
FF300R17KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 404 А, 2 В, 1.45 кВт, 125 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	60 270 руб. ×
FF400R07A01E3S6XKSA2, IGBT Modules HYBRID PACK DSC SI Бренд: Infineon	быстрый просмотр	31 430 руб. ×
FF400R07A01E3S6XKSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 400 А, 1.65 В, 1.5 кВт, 175 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	31 480 руб. ×	от 5 шт. — 29 330 руб. от 10 шт. — 27 240 руб.
FF450R07ME4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 450 А, 1.55 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	47 810 руб. ×	от 5 шт. — 42 240 руб. от 10 шт. — 41 380 руб.
FF450R12KE4, IGBT Modules N-CH 1.2KV 520A Бренд: Infineon	быстрый просмотр	45 220 руб. ×
FF450R33T3E3B5BPSA1, Trans IGBT Module N-CH 3300V 450A 10-Pin Tray Бренд: Infineon	быстрый просмотр	264 500 руб. ×
FF600R07ME4BPSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO Бренд: Infineon	быстрый просмотр	45 160 руб. ×	от 10 шт. — 37 590 руб.
FF600R07ME4BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 600 А, 1.55 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	39 160 руб. ×	от 5 шт. — 32 580 руб.
FF600R12KE4EBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, Common Emitter, 600 А, 1.75 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	70 290 руб. ×	от 5 шт. — 65 310 руб.
FGA3060ADF, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	430 руб. ×	от 100 шт. — 379 руб.
FGA30T65SHD, Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	520 руб. ×
FGA40T65SHD, IGBT Transistors IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	1 060 руб. ×	от 10 шт. — 820 руб. от 25 шт. — 780 руб. от 100 шт. — 662.29 руб.