Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Toshiba

Транзисторы биполярные (BJTs) Toshiba, стр.11

_{695 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

2SC6026MFVGR,L3F, 50V 150mW 200@2mA,6V 150mA NPN SOT-723 BIpolar TransIstors - BJT 7 недель, 7620 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7 недель, 7620 шт.	14 руб. ×
2SC6026MFVGR,L3F, Bipolar Transistors - BJT VESM PLN 7-9 недель, 2739 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 2739 шт.	58 руб. ×
2SC6100,LF 7-9 недель, 42341 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 42341 шт.	170 руб. ×
2SC6100,LF, Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR50V 7-9 недель, 4668 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 4668 шт.	160 руб. ×
2SC6135,LF, Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR50V 7-9 недель, 6892 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 6892 шт.	140 руб. ×
2SD1223(TE16L1,NQ), Bipolar Transistors - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min 7-9 недель, 27 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 27 шт.	270 руб. ×
HN1A01F-GR(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A 7-9 недель, 5759 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 5759 шт.	110 руб. ×
HN1A01FU-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 7-9 недель, 101 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 101 шт.	80 руб. ×
HN1A01FU-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz 7-9 недель, 2666 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 2666 шт.	83 руб. ×
HN1A01F-Y(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A 7-9 недель, 3502 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 3502 шт.	150 руб. ×
HN1B01F-GR(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A 7-9 недель, 2866 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 2866 шт.	140 руб. ×
HN1B01FU-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 7-9 недель, 436 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 436 шт.	110 руб. ×
HN1B04FE-GR, Транзистор: NPN / PNP; биполярный; комплементарная пара; 50В 7 недель, 27800 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7 недель, 27800 шт.	18 руб. ×
HN1B04FE-GR,LF, 100nA 50V 100mW 200@2mA,6V 150mA 80MHz 100mV@100mA,10mA 1PCSNPN&1PCSPNP +150°C@(Tj) SOT-666-6 BIpolar TransIstors - BJT 7 недель, 3550 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7 недель, 3550 шт.	65 руб. ×
HN1B04FE-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 7-9 недель, 224740 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 224740 шт.	89 руб. ×
HN1B04FU, Транзистор: NPN / PNP, биполярный, дополнительная пара, 50В, SC88 7 недель, 1480 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7 недель, 1480 шт.	54 руб. ×
HN1B04FU-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 7-9 недель, 1650 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 1650 шт.	110 руб. ×
HN1B04FU-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V 7-9 недель, 7876 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 7876 шт.	77 руб. ×
HN1C01FE-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp 7-9 недель, 31724 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 31724 шт.	89 руб. ×
HN1C01FE-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp 7-9 недель, 6098 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 6098 шт.	92 руб. ×