Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

15 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Технология/семейство
сбросить
Наличие встроенного диода
сбросить
Максимальное напряжение КЭ ,В
сбросить
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
сбросить
Импульсный ток коллектора (Icm), А
сбросить
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
сбросить
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
сбросить
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
сбросить
Рабочая температура (Tj), °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: Field Stop/Gen 2
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
770 руб. ×
от 15 шт. — 714 руб.
FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: Field Stop/Gen 2
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
990 руб. ×
от 15 шт. — 928 руб.
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: Field Stop/Gen 2
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247-3LD
быстрый просмотр
810 руб. ×
от 15 шт. — 751 руб.
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: Field Stop/Gen 2
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247-3LD
быстрый просмотр
1 280 руб. ×
от 15 шт. — 1 240 руб.
STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK]
157 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14.2
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d2pak
быстрый просмотр
157 шт.
210 руб. ×
от 15 шт. — 209 руб.
STGF10NC60KD, Транзистор IGBT 600В 9А 25Вт [TO-220FP]
100 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 9
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
100 шт.
350 руб. ×
от 15 шт. — 324 руб.
STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220]
696 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
696 шт.
310 руб. ×
от 15 шт. — 275 руб.
STGP19NC60HD, Транзистор PowerMESH IGBT VERY FAST 600V 40A [TO-220-3]
306 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
306 шт.
540 руб. ×
от 15 шт. — 478 руб.
STGP19NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 20А [TO-220]
570 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
570 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 165 руб.
STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]
366 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
366 шт.
290 руб. ×
от 15 шт. — 280 руб.
STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247]
61 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 42
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
61 шт.
910 руб. ×
от 15 шт. — 850 руб.
STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247]
175 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
175 шт.
570 руб. ×
от 15 шт. — 505 руб.
STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247]
219 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 118
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
219 шт.
810 руб. ×
от 15 шт. — 677 руб.
FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03]
Бренд: ON Semiconductor
Технология/семейство: Field Stop/Gen 2
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 136
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247-3LD
быстрый просмотр
500 руб. ×
от 15 шт. — 465 руб.
STGP14NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 14А [TO-220]
1 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 116
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 шт.
240 руб. ×
от 15 шт. — 225 руб.