Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)11 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247]
293 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247g03
быстрый просмотр
293 шт.
250 руб. ×
от 10 шт. — 220 руб.
от 100 шт. — 216 руб.
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247]
2147 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 112
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
2147 шт.
290 руб. ×
от 15 шт. — 286 руб.
от 150 шт. — 283 руб.
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]
285 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
285 шт.
280 руб. ×
от 15 шт. — 273 руб.
от 150 шт. — 270 руб.
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]
420 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
420 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 182 руб.
от 150 шт. — 179 руб.
IGW60T120FKSA1 (G60T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]
552 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
552 шт.
450 руб. ×
от 3 шт. — 429 руб.
от 30 шт. — 425 руб.
IKW15N120H3FKSA1 (K15H1203), Транзистор IGBT, N-канальный, 1200 В, 30 А, 217 Вт, [TO-247]
515 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 217
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
быстрый просмотр
515 шт.
330 руб. ×
от 15 шт. — 315 руб.
от 150 шт. — 313 руб.
IKW30N60H3FKSA1 (K30H603), Транзистор 600V 60A 187W [TO-247-3]
1137 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 187
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 207
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
быстрый просмотр
1137 шт.
240 руб. ×
от 15 шт. — 236 руб.
от 150 шт. — 234 руб.
STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]
273 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
273 шт.
180 руб. ×
от 15 шт. — 162 руб.
от 150 шт. — 159 руб.
IRG7PH44K10DPBF, Транзистор IGBT 1200В 25А TO-247
19 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen7
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 320
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 75
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 315
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
19 шт.
900 руб. ×
от 2 шт. — 830 руб.
от 10 шт. — 737 руб.
IRG7PH37K10DPBF, Транзистор IGBT 1200В 15А TO-247
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen7
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 45
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 216
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 240
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
По запросу
180 руб. ×
IRG7PSH54K10DPBF, Транзистор IGBT 1200В 50А Super-247
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen7
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 520
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 110
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: super-247
быстрый просмотр
По запросу
450 руб. ×