Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.3

_{84 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

HGTG20N60B3D, Транзистор, IGBT, UFS, 600В, 40А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		750 руб. ×	от 15 шт. — 695 руб.
HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		700 руб. ×	от 15 шт. — 653 руб.
HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 60А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		700 руб. ×	от 15 шт. — 653 руб.
HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247] Бренд: Fairchild Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 330 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 47 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 170 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		1 100 руб. ×	от 15 шт. — 1 080 руб.
YGW25N120U2, Транзистор IGBT Trench Field Stop 1200В 25А [TO-247] 8 недель, 120 шт. Бренд: luxin-semi Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 210 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 90 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	8 недель, 120 шт.	290 руб. ×	от 10 шт. — 260 руб.
FGH60N60SFD, IGBT транзистор транзистор 600В, 60А TO-247 Бренд: Fairchild Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		670 руб. ×	от 5 шт. — 570 руб.
IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247 Бренд: Infineon Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		450 руб. ×	от 5 шт. — 410 руб. от 20 шт. — 402 руб. от 35 шт. — 371.38 руб.
IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 30А, 106Вт до 175гр C TO-247 Бренд: Infineon Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		560 руб. ×	от 5 шт. — 520 руб. от 20 шт. — 497 руб. от 35 шт. — 477.59 руб.
IKFW60N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 50А, 138Вт до 175гр C TO-247 Бренд: Infineon Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		540 руб. ×	от 5 шт. — 500 руб. от 20 шт. — 477 руб.
NCE25TD120VT, IGBT транзистор 1200В 25A TO-247 6-7 дней, 190 шт. Бренд: Китай Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	6-7 дней, 190 шт.	420 руб. ×	от 5 шт. — 340 руб. от 20 шт. — 338 руб. от 35 шт. — 324.54 руб.
DG20X06T2, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А 10 дней, 289 шт. Бренд: STARPOWER Корпус: TO-247	быстрый просмотр	10 дней, 289 шт.	300 руб. ×	от 10 шт. — 250 руб. от 20 шт. — 225 руб. от 60 шт. — 211 руб.
DG40X12T2, Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247 10 дней, 42 шт. Бренд: STARPOWER Корпус: TO-247	быстрый просмотр	10 дней, 42 шт.	520 руб. ×	от 4 шт. — 440 руб. от 8 шт. — 425 руб. от 16 шт. — 419 руб.
DG50Q12T2, Биполярный транзитсор IGBT 1200В 80A 672Вт TO-247 PLUS 2 недели, 20 шт. Бренд: STARPOWER Корпус: TO-247	быстрый просмотр	2 недели, 20 шт.	820 руб. ×	от 3 шт. — 750 руб. от 5 шт. — 725 руб. от 10 шт. — 714 руб.
DG75X12T2, Биполярный транзистор IGBT, 1200В 150A TO-247 PLUS 10 дней, 32 шт. Бренд: STARPOWER Корпус: TO-247	быстрый просмотр	10 дней, 32 шт.	1 140 руб. ×	от 3 шт. — 1 060 руб. от 5 шт. — 996 руб. от 10 шт. — 941 руб.
FGH20N60SFDTU, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт Бренд: ON Semiconductor Корпус: TO-247	быстрый просмотр		790 руб. ×	от 4 шт. — 680 руб. от 8 шт. — 637 руб. от 15 шт. — 600 руб.
FGH40T120SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт Бренд: ON Semiconductor Корпус: TO-247	быстрый просмотр		1 440 руб. ×	от 2 шт. — 1 370 руб. от 4 шт. — 1 290 руб. от 8 шт. — 1 220 руб.
FGH60N60UFDTU, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 290 Вт Бренд: ON Semiconductor Корпус: TO-247	быстрый просмотр		990 руб. ×
FGY40T120SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А Бренд: ON Semiconductor Корпус: TO-247	быстрый просмотр		1 370 руб. ×	от 3 шт. — 1 300 руб.
HGTG40N60A4, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 625Вт Бренд: ON Semiconductor Корпус: TO-247	быстрый просмотр		460 руб. ×
IGW40N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт Бренд: Infineon Корпус: TO-247	быстрый просмотр		930 руб. ×	от 4 шт. — 840 руб. от 7 шт. — 783 руб. от 13 шт. — 739 руб.