Мой регион: Россия

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)17 из 457

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Волгоград
Воронеж
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Краснодар
Красноярск
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Пермь
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саратов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Челябинск
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]
2189 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
2189 шт.
210 руб. ×
от 15 шт. — 200 руб.
от 150 шт. — 198 руб.
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]
2129 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
2129 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 180 руб.
от 150 шт. — 178 руб.
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247]
1295 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 112
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
1295 шт.
230 руб. ×
от 15 шт. — 220 руб.
от 150 шт. — 218 руб.
FGH40T100SMD, Транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт, [TO-247-3]
166 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 285
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247a03
Добавить к сравнению
166 шт.
300 руб. ×
от 15 шт. — 282 руб.
от 150 шт. — 280 руб.
FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]
636 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: npt trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 140
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 630
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-264
Добавить к сравнению
636 шт.
270 руб. ×
от 15 шт. — 251 руб.
от 150 шт. — 249 руб.
GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]
318 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 170
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 700
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: 2-21f2c
Добавить к сравнению
318 шт.
280 руб. ×
от 15 шт. — 265 руб.
от 150 шт. — 263 руб.
IKW30N60H3 (K30H603), Транзистор 600V 60A 187W [TO-247-3]
850 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 187
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 207
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
Добавить к сравнению
850 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 182 руб.
от 150 шт. — 180 руб.
IRG4BC40SPBF, Транзистор, IGBT 600В 31А 1кГц [TO-220AB]
68 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 650
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220AB
Добавить к сравнению
68 шт.
150 руб. ×
от 10 шт. — 132 руб.
от 100 шт. — 129 руб.
IRGP30B120KD-EP, Транзистор IGBT 1200В 30А 5-40кГц [TO-247AD]
209 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 300
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 210
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247AD
Добавить к сравнению
209 шт.
360 руб. ×
от 15 шт. — 344 руб.
от 150 шт. — 342 руб.
IRG4PC40SPBF, IGBT 600В 31А 1кГц [TO-247AC]
17 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 650
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
17 шт.
150 руб. ×
от 10 шт. — 129 руб.
от 100 шт. — 126 руб.
IXGA20N120A3, Транзистор, GenX3 IGBT, 1200В, 20А [TO-263AA]
9 шт.
Пр-во: Ixys
Технология/семейство: genx3, pt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 16
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 290
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-263AA
Добавить к сравнению
9 шт.
130 руб. ×
от 2 шт. — 122 руб.
IRG4PC30FDPBF, IGBT 600B 31A TO247
2-3 недели, 411 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 31
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 42
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 230
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
2-3 недели,
411 шт.
470 руб. ×
от 10 шт. — 353 руб.
от 100 шт. — 307 руб.
IRG4PC30FPBF, IGBT транз 600В 31А TO247
1-2 недели, 49 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 31
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
1-2 недели,
49 шт.
490 руб. ×
IRG8P60N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 60А [TO-247]
2-3 недели, 108 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen8
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 420
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 240
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
2-3 недели,
108 шт.
540 руб. ×
от 5 шт. — 503 руб.
от 10 шт. — 467 руб.
IRGP35B60PDPBF, IGBT 600В 40А 150кГц
1-2 недели, 493 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.25
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 308
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 26
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
1-2 недели,
493 шт.
500 руб. ×
от 10 шт. — 320 руб.
от 20 шт. — 302 руб.
FGA40N65SMD, Транзистор IGBT Chip N-CH 650В 80А 349Вт [TO-3PN]
3-4 недели
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3PN
Добавить к сравнению
3-4 недели
324 руб. ×
от 10 шт. — 281 руб.
от 100 шт. — 244 руб.
FGH40N60SFTU, Транзистор
3-4 недели
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
3-4 недели
369 руб. ×
от 10 шт. — 325 руб.
от 100 шт. — 289 руб.