Мой регион: Россия

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)18 из 460

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Волгоград
Воронеж
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Краснодар
Красноярск
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Пермь
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саратов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Челябинск
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]
2193 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
2193 шт.
210 руб. ×
от 15 шт. — 200 руб.
от 150 шт. — 198 руб.
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]
1732 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
1732 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 180 руб.
от 150 шт. — 178 руб.
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247]
1295 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 112
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
1295 шт.
230 руб. ×
от 15 шт. — 220 руб.
от 150 шт. — 218 руб.
FGH40T100SMD, Транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт, [TO-247-3]
168 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 285
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247a03
Добавить к сравнению
168 шт.
300 руб. ×
от 15 шт. — 282 руб.
от 150 шт. — 280 руб.
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]
288 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
288 шт.
220 руб. ×
от 15 шт. — 210 руб.
от 150 шт. — 208 руб.
IKQ40N120CT2 [K40MCT2], Транзистор, IGBT TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А, 2-20кГц, [PG-TO247-3]
60 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trenchstop 2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.15
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 328
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3-46
Добавить к сравнению
60 шт.
600 руб. ×
от 15 шт. — 589 руб.
от 150 шт. — 587 руб.
IKW50N60T (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]
49 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 26
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 299
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
Добавить к сравнению
49 шт.
320 руб. ×
от 15 шт. — 310 руб.
от 150 шт. — 308 руб.
RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A]
427 шт.
Пр-во: Renesas
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260.4
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 53
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247a
Добавить к сравнению
427 шт.
210 руб. ×
от 15 шт. — 198 руб.
от 150 шт. — 197 руб.
STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]
193 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
193 шт.
140 руб. ×
от 15 шт. — 125 руб.
от 150 шт. — 123 руб.
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600V 80A 283W, [TO-247]
295 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 283
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 52
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
295 шт.
250 руб. ×
от 10 шт. — 240 руб.
от 100 шт. — 237 руб.
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
176 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
176 шт.
310 руб. ×
от 15 шт. — 300 руб.
от 150 шт. — 298 руб.
IRGPS40B120UDP, Транзистор, IGBT 1200В 40А 5-40кГц, [Super-247]
8 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 595
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 76
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 332
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: super-247
Добавить к сравнению
8 шт.
710 руб. ×
от 3 шт. — 695 руб.
от 30 шт. — 692 руб.
FGA40N65SMD, Транзистор IGBT Chip N-CH 650В 80А 349Вт [TO-3PN]
3-4 недели, 178 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3PN
Добавить к сравнению
3-4 недели,
178 шт.
324 руб. ×
от 10 шт. — 281 руб.
от 100 шт. — 244 руб.
FGH40N60SFTU, Транзистор
3-4 недели, 190 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
3-4 недели,
190 шт.
369 руб. ×
от 10 шт. — 325 руб.
от 100 шт. — 289 руб.
IRG8P50N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 50А [TO-247]
3-4 недели, 8 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen8
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 35
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
3-4 недели,
8 шт.
771 руб. ×
IRGP6650DPBF, Транзистор, IGBT, 600B, 80A, [TO-247-3]
5-7 дней, 7 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 306
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
5-7 дней,
7 шт.
440 руб. ×
от 2 шт. — 390 руб.
IRGPS40B120UPBF, IGBT 1200В 40А 8-25кГц TO274AA(Super247)
3-4 недели, 25 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.71
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 595
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 76
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 332
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: super-247
Добавить к сравнению
3-4 недели,
25 шт.
938 руб. ×
от 10 шт. — 855 руб.
от 25 шт. — 802 руб.
SGH80N60UFDTU, Транзистор IGBT UFD 600В 80А 195Вт [TO-3PN]
4 дня, 95 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: ufd
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 195
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 90
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-3PN
Добавить к сравнению
4 дня,
95 шт.
730 руб. ×
от 3 шт. — 510 руб.
от 6 шт. — 457 руб.