Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.3

_{92 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A] 237 шт. Бренд: Renesas Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260.4 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 53 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247A	быстрый просмотр	237 шт.	680 руб. × от 5 шт. — 592 руб.
SGP02N120XKSA1 (GP02N120), Транзистор IGBT 1200В 6.2А 62Вт [TO-220] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 6.2 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 9.6 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 62 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO-220-3-1	быстрый просмотр		480 руб. × от 15 шт. — 470 руб.
SGP07N120XKSA1 (GP07N120), Тарнзистор IGBT 1200В 8А 125Вт [TO-220] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16.5 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 27 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 440 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO-220-3-1	быстрый просмотр		470 руб. × от 15 шт. — 429 руб.
SGW25N120FKSA1, Транзистор IGBT, NPT, 1200В, 25А [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 313 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 730 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		1 360 руб. × от 15 шт. — 1 310 руб.
SKW25N120FKSA1 (K25N120), Транзистор IGBT 1200В 25А 313Вт [TO-247] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 313 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 730 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		2 120 руб. × от 15 шт. — 2 090 руб.
STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK] 163 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14.2 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	163 шт.	210 руб. × от 15 шт. — 209 руб.
STGF10NC60KD, Транзистор IGBT 600В 9А 25Вт [TO-220FP] 100 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 9 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	100 шт.	350 руб. × от 15 шт. — 324 руб.
STGF19NC60KD, Транзистор IGBT 600В 16А 32Вт [TO-220FP] 322 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 32 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	322 шт.	370 руб. × от 15 шт. — 323 руб.
STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220] 696 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	696 шт.	310 руб. × от 15 шт. — 275 руб.
STGP19NC60HD, Транзистор PowerMESH IGBT VERY FAST 600V 40A [TO-220-3] 306 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	306 шт.	540 руб. × от 15 шт. — 478 руб.
STGP19NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 20А [TO-220] 570 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	570 шт.	190 руб. × от 15 шт. — 165 руб.
STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220] 370 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	370 шт.	290 руб. × от 15 шт. — 280 руб.
STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220] 250 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 15 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	250 шт.	190 руб. × от 15 шт. — 138 руб.
STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247] 61 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 42 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	61 шт.	910 руб. × от 15 шт. — 850 руб.
STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247] 175 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	175 шт.	570 руб. × от 15 шт. — 505 руб.
STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247] 219 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 118 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	219 шт.	810 руб. × от 15 шт. — 677 руб.
STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3] 153 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	153 шт.	450 руб. × от 15 шт. — 402 руб.
CRG40T60AN3H, Транзистор IGBT 600В 40А 280Вт Trench FS III [TO-3P(N)] 10 недель, 120 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 280 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46.8 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 147.7 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P(N)	быстрый просмотр	10 недель, 120 шт.	140 руб. × от 15 шт. — 125 руб.
FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 186 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр		390 руб. × от 15 шт. — 360 руб.
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 312 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр		520 руб. × от 50 шт. — 457 руб.