Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.2

_{45 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6.5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		88 руб. ×	от 25 шт. — 74 руб.
FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8] 878 шт. Бренд: VBsemi Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/7.1А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 27 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	878 шт.	50 руб. ×	от 15 шт. — 45 руб.
FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8] 2414 шт. Бренд: TECH PUBLIC Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.026 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	2414 шт.	60 руб. ×	от 15 шт. — 54 руб.
IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6] Бренд: IR Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.7А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96 Крутизна характеристики, S: 5.2 Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6	быстрый просмотр		66 руб. ×	от 50 шт. — 56 руб.
IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 3.8 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		81 руб. ×	от 50 шт. — 72 руб.
IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/2.6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		90 руб. ×	от 25 шт. — 72 руб.
IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 5.2 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 25 шт. — 89 руб.
IRF7311TRPBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		120 руб. ×	от 25 шт. — 91 руб.
IRF7313TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2N-канала, 30В, 6.5А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		140 руб. ×	от 25 шт. — 122 руб.
IRF7341TRPBF, Транзистор, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/4.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 7.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		86 руб. ×	от 50 шт. — 84 руб.
IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8] 5367 шт. Бренд: VBsemi Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5367 шт.	82 руб. ×	от 50 шт. — 79 руб.
IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET, 2N-канала 60В 8А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0178 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 18 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		320 руб. ×	от 25 шт. — 296 руб.
IRF7380TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 80В, 3.6А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.073 Ом/2.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 4.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		160 руб. ×	от 25 шт. — 135 руб.
IRF7904TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 7.6А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0162 Ом/7.6А, 10В/0.0108 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 17/23 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		200 руб. ×	от 25 шт. — 172 руб.
IRF7907TRPBF, Транзистор 2хN-канала 30В 11А, [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0164 Ом/9.1А, 10В/0.0118 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 19/24 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		440 руб. ×	от 25 шт. — 419 руб.
IRF8313TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9.7A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0155 Ом/9.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 23 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		150 руб. ×	от 25 шт. — 138 руб.
IRF9956TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 3.5А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/2.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 12 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		77 руб. ×	от 25 шт. — 68 руб.
IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-кан 30В 10A, [PQFN-3х3] (=IRFHM8363TR2PBF) Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0149 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)	быстрый просмотр		200 руб. ×	от 15 шт. — 167 руб.
IRL6372TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 8.1А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0179 Ом/8.1А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 30 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 25 шт. — 93 руб.
CSD87384M, транзисторная сборка синхронного выпрямителя 2xN-канал 30В 30A DBC Бренд: Texas Instruments Структура: 2N-канала	быстрый просмотр		370 руб. ×	от 10 шт. — 340 руб. от 40 шт. — 319 руб. от 70 шт. — 306.73 руб.