Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ON Semiconductor, стр.2

_{197 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже

Мин. цена	руб.
Макс. цена	руб.

HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247	быстрый просмотр	490 руб. × от 15 шт. — 438 руб.
ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21A [TO-252AA] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: ignition Наличие встроенного диода: нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 430 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 150 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 4800 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: DPAK/TO-252AA	быстрый просмотр	490 руб. × от 15 шт. — 462 руб.
ISL9V3040S3ST, Транзистор IGBT 400В 21А [D2-PAK/ TO-263AB] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: ignition Наличие встроенного диода: нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 430 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 150 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 4800 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	330 руб. × от 15 шт. — 275 руб.
TIG056BF-1E, Транзистор IGBT 430В 240А [TO-220F-3FS/SC-67] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: ignition Наличие встроенного диода: нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 430 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 30 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 140 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220f-3fs	быстрый просмотр	910 руб. × от 15 шт. — 865 руб.
FGAF20N60SMD, IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3PF		480 руб. ×
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop, Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр	950 руб. × от 15 шт. — 904 руб.
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр	770 руб. × от 15 шт. — 698 руб.
HGTG20N60B3 [HG20N60B3], Транзистор IGBT UFS 600В 40А 165Вт [TO-247AC] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: to-247	быстрый просмотр	570 руб. × от 15 шт. — 473 руб.
FGA25S125P-SN00337, Транзистор: IGBT, 1250В, 25А, 125Вт, TO3PN Пр-во: ON Semiconductor		1 120 руб. ×
FGH60N60SMD, IGBT транзистор Пр-во: ON Semiconductor Максимальное напряжение КЭ ,В: 600	быстрый просмотр	950 руб. ×
FGY40T120SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А Пр-во: ON Semiconductor Корпус: to-247	быстрый просмотр	1 310 руб. × от 3 шт. — 1 230 руб. от 6 шт. — 1 150 руб. от 12 шт. — 1 080 руб.
HGTG40N60A4, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 625Вт Пр-во: ON Semiconductor Корпус: to-247	быстрый просмотр	400 руб. × от 9 шт. — 360 руб. от 18 шт. — 334 руб. от 30 шт. — 316 руб.
FGH60N60UFDTU, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 290 Вт Пр-во: ON Semiconductor Корпус: to-247	быстрый просмотр	810 руб. × от 6 шт. — 720 руб. от 11 шт. — 684 руб. от 21 шт. — 639 руб.
FGPF4633, (укороченные формованные выводы), Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт Пр-во: ON Semiconductor Корпус: TO-220F formed lead		170 руб. × от 11 шт. — 150 руб. от 21 шт. — 136 руб.
FGPF4633TU, Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт Пр-во: ON Semiconductor Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	170 руб. × от 11 шт. — 150 руб. от 21 шт. — 136 руб. от 50 шт. — 128 руб.
FGPF50N33BT, Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А, 43 Вт Пр-во: ON Semiconductor Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	400 руб. × от 5 шт. — 360 руб. от 10 шт. — 338 руб.
HGTG18N120BND, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 54 А, 390 Вт Пр-во: ON Semiconductor Корпус: to-247	быстрый просмотр	670 руб. ×
HGTP10N120BN, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт Пр-во: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	210 руб. × от 9 шт. — 190 руб. от 17 шт. — 183 руб. от 33 шт. — 175 руб.
HGTP12N60A4D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт Пр-во: ON Semiconductor Корпус: to-220	быстрый просмотр	150 руб. ×
Микросхема ISL9V3040P3 Пр-во: ON Semiconductor	быстрый просмотр	360 руб. ×