Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.4

_{92 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		770 руб. ×	от 15 шт. — 698 руб.
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 64 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		2 700 руб. ×
FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3] Бренд: Fairchild Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 180 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 140 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 630 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		1 010 руб. ×	от 15 шт. — 947 руб.
FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 178 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 9.3 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.8 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр		420 руб. ×	от 15 шт. — 390 руб.
HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 54 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 96 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		300 руб. ×	от 15 шт. — 265 руб.
HGTG20N60A4, Транзистор IGBT 600В 70А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		600 руб. ×	от 15 шт. — 563 руб.
HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		600 руб. ×	от 15 шт. — 563 руб.
HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		700 руб. ×	от 15 шт. — 653 руб.
HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 60А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		700 руб. ×	от 15 шт. — 653 руб.
HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247] Бренд: Fairchild Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 330 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 47 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 170 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		1 100 руб. ×	от 15 шт. — 1 080 руб.
IRG4BC20UD-SPBF, IGBT 600В 13А 8-60кГц, [D2-Pak] Бренд: IR Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 13 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 60 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 93 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: d2pak	быстрый просмотр		120 руб. ×	от 15 шт. — 105 руб.
IRG4PC30UDPBF, Транзистор IGBT 600В 23А, [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		1 030 руб. ×	от 15 шт. — 960 руб.
IRG4PC40KDPBF, IGBT 600В 42А, [TO-247AC] Бренд: IR Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 42 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 160 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 53 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		480 руб. ×	от 10 шт. — 462 руб.
IRG4PSC71UPBF, IGBT 600В 85А [Super247] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 85 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 34 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 56 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: Super-247	быстрый просмотр		740 руб. ×	от 15 шт. — 722 руб.
IRGP50B60PD1PBF, Транзистор, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 390 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		1 500 руб. ×	от 15 шт. — 1 410 руб.
SGP15N120XKSA1 (GP15N120), Транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт [TO-220] (замена для BUP213) Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 198 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 580 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO-220-3-1	быстрый просмотр		770 руб. ×	от 15 шт. — 714 руб.
STGP14NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 14А [TO-220] 1 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 116 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 шт.	240 руб. ×	от 15 шт. — 225 руб.
Транзистор IRG4PH50UD IXYS 7 дней, 288 шт. Бренд: No trademark Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 45 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 47 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр	7 дней, 288 шт.	4 040 руб. 3 100 руб. ×
AUIRGP50B60PD1, Auto IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC] [EOL] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 390 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		750 руб. ×	от 15 шт. — 741 руб.
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A] По запросу Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: 2-16F1A	быстрый просмотр	По запросу	600 руб. ×