Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.3

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 136 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		500 руб. ×	от 15 шт. — 465 руб.
GT15J341 транзистор, IGBT N-Ch 600V 15A 1.5Vce 1 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	1 шт.	410 руб. ×
HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 54 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 96 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		300 руб. ×	от 15 шт. — 265 руб.
HGTG20N60A4, Транзистор IGBT 600В 70А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		600 руб. ×	от 15 шт. — 563 руб.
HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		600 руб. ×	от 15 шт. — 563 руб.
HGTG20N60B3 [HG20N60B3], Транзистор IGBT UFS 600В 40А 165Вт [TO-247AC] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		570 руб. ×	от 15 шт. — 473 руб.
HGTG20N60B3D, Транзистор, IGBT, UFS, 600В, 40А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		750 руб. ×	от 15 шт. — 695 руб.
HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		700 руб. ×	от 15 шт. — 653 руб.
HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 60А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		700 руб. ×	от 15 шт. — 653 руб.
HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247] Бренд: Fairchild Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 330 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 47 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 170 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		1 100 руб. ×	от 15 шт. — 1 080 руб.
IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 190 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 560 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		680 руб. ×	от 15 шт. — 670 руб.
IKQ40N120CT2XKSA1 (K40MCT2), Транзистор, IGBT TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А, 2-20кГц, [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.15 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 328 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3-46	быстрый просмотр		750 руб. ×	от 15 шт. — 700 руб.
IRG4BC20UD-SPBF, IGBT 600В 13А 8-60кГц, [D2-Pak] Бренд: IR Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 13 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 60 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 93 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: d2pak	быстрый просмотр		120 руб. ×	от 15 шт. — 105 руб.
IRG4PC30UDPBF, Транзистор IGBT 600В 23А, [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		1 030 руб. ×	от 15 шт. — 960 руб.
IRGB4062DPBF, Транзистор IGBT 600В 48А [TO-220AB] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 15 шт. — 225 руб.
IRGB4610DPBF, Транзистор, IGBT, 600В, 10А, [TO-220AB] Бренд: IR Технология/семейство: Gen 6.2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 18 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 77 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 75 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		180 руб. ×	от 10 шт. — 162 руб.
IRGB4620DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 32А [TO-220AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 6.2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 32 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 36 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 83 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		310 руб. ×	от 15 шт. — 280 руб.
IRGP4062DPBF, Транзистор IGBT 600В 48А 8-30кГц [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		340 руб. ×	от 15 шт. — 315 руб.
IRGP4063PBF, Транзистор IGBT 600В 96А 8-30кГЦ [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		390 руб. ×	от 15 шт. — 360 руб.
IRGP4066D-EPBF, Транзистор IGBT 600В 140А 454Вт [TO-247AD] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 140 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 454 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247AD	быстрый просмотр		800 руб. ×	от 15 шт. — 750 руб.
IRGP4068D-EPBF, Транзистор IGBT 600В 96А 8-30кГц [TO-247AD] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: TO-247AD	быстрый просмотр		460 руб. ×	от 15 шт. — 425 руб.
IRGP4068DPBF, Транзистор IGBT 600В 48А [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		370 руб. ×	от 15 шт. — 345 руб.
IRGP4650DPBF, Транзистор IGBT 600В 76А 268Вт [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 6.2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 76 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 268 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		480 руб. ×	от 15 шт. — 450 руб.
IRGP50B60PD1PBF, Транзистор, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 390 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		1 500 руб. ×	от 15 шт. — 1 410 руб.
IRGPS46160DPBF, Транзистор, IGBT Gen 6.2, 600В,120А, 8-30кГц [Super247] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 6.2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 240 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 360 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.05 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 80 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: Super-247	быстрый просмотр		2 300 руб. ×	от 15 шт. — 2 160 руб.
NGD8201ANT4G, Транзистор IGBT 440В 20А 125Вт [D-PAK] [EOL] 7 шт. Бренд: Littelfuse Технология/семейство: Ignition Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 440 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 5000 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: DPAK/TO-252AA	быстрый просмотр	7 шт.	870 руб. ×
RJP63G4DPE-00#J3, Транзистор IGBT 630В 40А [D2PAK] 1 шт. Бренд: Renesas	быстрый просмотр	1 шт.	1 420 руб. ×	от 3 шт. — 1 320 руб.
RJP63K2, Транзистор IGBT N-канальный 630V, 35A, TO-263 1 шт. Бренд: Renesas	быстрый просмотр	1 шт.	480 руб. ×
SGP15N120XKSA1 (GP15N120), Транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт [TO-220] (замена для BUP213) Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 198 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 580 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO-220-3-1	быстрый просмотр		770 руб. ×	от 15 шт. — 714 руб.
STGP14NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 14А [TO-220] 1 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 116 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 шт.	240 руб. ×	от 15 шт. — 225 руб.
YGW25N120U2, Транзистор IGBT Trench Field Stop 1200В 25А [TO-247] 6 недель, 120 шт. Бренд: luxin-semi Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 210 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 90 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	6 недель, 120 шт.	290 руб. ×	от 10 шт. — 260 руб.
APT35GN120L2DQ2G, Транзистор IGBT Бренд: Microchip	быстрый просмотр		730 руб. ×
APT35GN120L2DQ2G, Транзистор IGBT (N-канал 1200В 94A TO264) Бренд: Microsemi	быстрый просмотр		2 070 руб. ×
BSM50GX120DN2BOSA1, БТИЗ силовой модуль AG-ECONO2-2 Бренд: Infineon	быстрый просмотр		32 630 руб. ×	от 2 шт. — 30 420 руб. от 3 шт. — 29 200 руб. от 4 шт. — 28 215.91 руб.
BSM75GB120DN2HOSA1, БТИЗ силовой модуль AG320 Бренд: Infineon	быстрый просмотр		5 590 руб. ×	от 10 шт. — 4 550 руб.
FDN360P 4777 шт. Бренд: TECH PUBLIC	быстрый просмотр	4777 шт.	9 руб. ×	от 1000 шт. — 6.90 руб. от 4100 шт. — 6.09 руб.
FF150R12RT4, Полумост IGBT, Urmax 1,2кВ, Ic 150А, AG-34MM-1, винтами, винтами Бренд: Infineon	быстрый просмотр		12 850 руб. 8 920 руб. ×	от 10 шт. — 7 260 руб.
FGA25S125P-SN00337, Транзистор: IGBT, 1250В, 25А, 125Вт, TO3PN Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		1 170 руб. ×
FGH20N60SFDTU, Транзистор IGBT, 600В, 20А, 66Вт, TO247-3 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр		920 руб. ×	от 4 шт. — 830 руб.
IKD06N60RATMA1, Транзистор: IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 600В, 6А, 100Вт, DPAK Бренд: Infineon	быстрый просмотр		230 руб. ×	от 5 шт. — 200 руб.
IPA65R380E6XKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 10,6А, 31Вт, PG-TO220-3-FP Бренд: Infineon	быстрый просмотр		810 руб. ×	от 10 шт. — 580 руб.
IXA30PG1200DHGLB, Модуль: IGBT, диод/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,2кВ, Ic: 30А Бренд: Ixys	быстрый просмотр		3 810 руб. ×
RGS30TSX2DGC11 66 шт. Бренд: Rohm	быстрый просмотр	66 шт.	2 180 руб. ×	от 4 шт. — 1 840 руб. от 15 шт. — 1 690 руб. от 30 шт. — 1 570.52 руб.
SGT40N60FD2PN, TO-3P-3 IGBTs 10 шт. Бренд: Silan	быстрый просмотр	10 шт.	340 руб. ×	от 10 шт. — 280 руб.
Транзистор FF300R17KE4 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 440 А, 1.95 В, 1.8 кВт, 1.7 кВ Бренд: Infineon	быстрый просмотр		41 790 руб. ×
APT33GF120BRG, Транзистор Бренд: Microchip	быстрый просмотр		5 790 руб. ×
FGH60N60SFD, IGBT транзистор транзистор 600В, 60А TO-247 Бренд: Fairchild Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		670 руб. ×	от 5 шт. — 570 руб.
GD450HFY120C6S, Силовой модуль, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200V 450A 2 in one-package, анал 2 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	2 шт.	12 860 руб. ×
IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247 Бренд: Infineon Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		450 руб. ×	от 5 шт. — 410 руб. от 20 шт. — 402 руб. от 35 шт. — 371.38 руб.
IHW30N160R5XKSA1, Транзистор Бренд: Infineon	быстрый просмотр		2 350 руб. ×
IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 30А, 106Вт до 175гр C TO-247 Бренд: Infineon Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		560 руб. ×	от 5 шт. — 520 руб. от 20 шт. — 497 руб. от 35 шт. — 477.59 руб.
IKFW60N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 50А, 138Вт до 175гр C TO-247 Бренд: Infineon Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		540 руб. ×	от 5 шт. — 500 руб. от 20 шт. — 477 руб.
IKW40N65F5FKSA1, Транзистор Бренд: Infineon	быстрый просмотр		5 910 руб. ×
IRG4PH40UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт Бренд: Infineon	быстрый просмотр		1 410 руб. ×	от 2 шт. — 1 260 руб. от 8 шт. — 1 180 руб. от 14 шт. — 1 126.19 руб.
IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200В 35А 8-30кГц TO247AC восстановленное лужение выводов Бренд: Infineon Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9 Корпус: to247ac	быстрый просмотр		580 руб. ×	от 10 шт. — 540 руб. от 40 шт. — 492 руб. от 70 шт. — 483.76 руб.
IRG7PH42UD-EP, IGBT транзистор 1200В 45А 5-40кГц TO247AD 2014г Бренд: Infineon	быстрый просмотр		650 руб. ×	от 10 шт. — 610 руб. от 40 шт. — 559 руб. от 70 шт. — 549.56 руб.
IRGIB6B60KDPBF, IGBT транзистор транзистор 600В, 11А TO-220FP Бренд: Infineon Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр		320 руб. ×
IRGP4063DPBF, TO247AC Бренд: Infineon	быстрый просмотр		1 350 руб. ×	от 5 шт. — 930 руб. от 20 шт. — 826 руб. от 35 шт. — 812.08 руб.
IRGP4063DPBF, TO-247AC Бренд: Infineon Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		720 руб. ×	от 10 шт. — 690 руб.
NCE25TD120VT, IGBT транзистор 1200В 25A TO-247 190 шт. Бренд: Китай Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	190 шт.	420 руб. ×	от 5 шт. — 340 руб. от 20 шт. — 335 руб. от 35 шт. — 322.04 руб.